[發明專利]銻化銦芯片的制備方法

在審

• 申請號: 202011383350.2
• 申請日: 2020-12-01
• 公開（公告）號: CN112614912A
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 鄭律;馬可軍;俞振中;門楠;陳占勝
• 申請（專利權）人: 浙江森尼克半導體有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 南京樂羽知行專利代理事務所(普通合伙) 32326
• 代理人: 孫承堯

1.一種銻化銦芯片的制備方法，其特征在于：

所述制備方法包括：

制備一個第一預設厚度的n型銻化銦單晶晶圓；

對所述銻化銦單晶晶圓的正面進行化學腐蝕以除去第二預設厚度的損傷層；

對所述銻化銦單晶晶圓的正面進行半導體摻雜以使所述銻化銦單晶晶圓具有一個第一預設深度的p型層；

對所述銻化銦單晶晶圓的p型層進行光刻以形成芯片圖形；

對所述銻化銦單晶晶圓的p型層進行蒸鍍以形成芯片電極；

用填充物填充至所述銻化銦單晶晶圓的正面并將所述銻化銦單晶晶圓反貼至一個基片；

對所述銻化銦單晶晶圓的反面進行減薄至預設位置。

2.根據權利要求1所述的銻化銦芯片的制備方法，其特征在于：

所述制備方法還包括：

對第一預設厚度的所述銻化銦單晶晶圓的正面進行研磨和拋光。

3.根據權利要求1所述的銻化銦芯片的制備方法，其特征在于：

所述制備方法還包括：

采用清洗劑清洗填充物和基片并收集產品芯片。

4.根據權利要求1所述的銻化銦芯片的制備方法，其特征在于：

所述制備方法還包括：

制備n型純銻化銦單晶晶柱；

將所述銻化銦單晶晶柱切割以制備出若干第一預設厚度的n型銻化銦單晶晶圓。

5.根據權利要求1所述的銻化銦芯片的制備方法，其特征在于：

所述n型銻化銦單晶晶圓的電子濃度小于等于5×10¹⁴每立方厘米。

6.根據權利要求1所述的銻化銦芯片的制備方法，其特征在于：

所述n型銻化銦單晶晶圓的直徑取值范圍為5至15厘米。

7.根據權利要求1所述的銻化銦芯片的制備方法，其特征在于：

所述第一預設厚度的取值范圍為0.4毫米至1毫米。

8.根據權利要求1所述的銻化銦芯片的制備方法，其特征在于：

所述第二預設厚度的取值范圍為10微米至100微米。

9.根據權利要求1所述的銻化銦芯片的制備方法，其特征在于：

所述第一預設深度的取值范圍為5微米至50微米。

10.根據權利要求1所述的銻化銦芯片的制備方法，其特征在于：

所述p型層中摻雜的電子濃度取值范圍為于2×10¹⁶每立方厘米至于5×10¹⁷每立方厘米。

11.根據權利要求1所述的銻化銦芯片的制備方法，其特征在于：

采用金屬鋅或鎘進行所述p型層的摻雜。

12.根據權利要求11所述的銻化銦芯片的制備方法，其特征在于：

對所述銻化銦單晶晶圓的正面進行半導體摻雜以使所述銻化銦單晶晶圓具有一個第一預設深度的p型層包括：

將裝有所述銻化銦單晶晶圓放置至在石英籃中；

將石英籃以及裝有摻雜材料的石英舟置于擴散管中在預設真空度和預設溫度下擴散預設時長；

其中，預設真空度取值范圍1×10^-4至5×10^-4Pa；所述預設溫度的取值范圍為400攝氏度至480攝氏度；所述預設時長取值范圍為10小時至20小時。

13.根據權利要求1所述的銻化銦芯片的制備方法，其特征在于：

所述填充劑為松香或/和白蠟。

14.根據權利要求1所述的銻化銦芯片的制備方法，其特征在于：

所述基板為玻璃片或陶瓷片。