[發明專利]發光零件在審
| 申請號： | 202011381955.8 | 申請日： | 2020-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN113451348A | 公開（公告）日： | 2021-09-28 |
| 發明（設計）人： | 近藤崇;村田道昭;大野健一;吉川昌宏;曳地丈人;白井優司 | 申請（專利權）人： | 富士膠片商業創新有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/15 | 分類號： | H01L27/15;H01S5/026;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 楊貝貝;臧建明 |
| 地址： | 日本東京*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 零件 | ||
1.一種發光零件，包括：
基板；
多個發光元件，設在所述基板，朝與所述基板的表面交叉的方向出射光；以及
多個晶閘管，分別層疊在多個所述發光元件上，通過成為導通狀態而驅動所述發光元件發光或使發光量增加，
所述發光元件具有電流狹窄區域，所述電流狹窄區域經由設在層疊有所述發光元件與所述晶閘管的層疊結構體的孔部而進行了氧化。
2.根據權利要求1所述的發光零件，其中
多個所述孔部在所述層疊結構體中，在所述發光元件出射光的出射口的周圍排列成圓形。
3.根據權利要求1或2所述的發光零件，其中
所述晶閘管在朝向所述發光元件的所述晶閘管的光的路徑上具有開口部。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的發光零件，其中
所述晶閘管經由隧穿結層或者具有金屬導電性的III-V族化合物層而層疊在所述發光元件上。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的發光零件，包括：
多個傳送元件，與多個所述晶閘管分別連接，依序傳送導通狀態，并且通過成為導通狀態而將所述晶閘管設定為導通狀態。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的發光零件，
所述發光元件為垂直腔面發射激光器元件。
7.一種發光零件，包括：
基板；
多個發光元件，設在所述基板，朝與所述基板的表面交叉的方向出射光；以及
多個晶閘管，分別層疊在所述基板與多個所述發光元件間，通過成為導通狀態而驅動所述發光元件發光或者使發光量增加，
所述發光元件具有電流狹窄區域，所述電流狹窄區域經由設在層疊有所述發光元件與所述晶閘管的層疊結構體的孔部而進行了氧化。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于富士膠片商業創新有限公司，未經富士膠片商業創新有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011381955.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：針對具有有限電池功率的系統的強化支持
- 下一篇：R－T－B系永久磁鐵
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
