[發(fā)明專利]一種倒裝GaN功率器件封裝結構及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011381123.6
• 申請日: 2020-12-01
• 公開（公告）號: CN112289752B
• 公開（公告）日: 2023-04-11
• 發(fā)明（設計）人: 王其龍;徐洋;施嘉穎;楊凱鋒;顧紅霞
• 申請（專利權）人: 江蘇捷捷微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/14
• 分類號: H01L23/14;H01L23/488;H01L23/495;H01L21/58;H01L29/861;H01L29/20
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 盧海洋

1.一種倒裝GaN功率器件封裝結構，包括陶瓷基板，其特征在于：所述陶瓷基板表面下沉有開槽，所述開槽的槽體形狀呈倒“凹”型，所述開槽槽體底部和陶瓷基板背部分別覆有正面銅層和背面銅層，所述倒“凹”型槽體的上部中間涂覆有絕緣漆，所述絕緣漆層的長邊兩側和正面銅層之間開有V槽，所述倒“凹”形槽體的下部和長邊一側正面銅層各點上焊錫膏，所述V槽外側正面銅層上，遠離絕緣漆的一側通過焊錫膏倒裝貼附有芯片，所述倒“凹”型槽體的下部通過焊錫膏和引線框架腳架焊接區(qū)進行焊接。

2.根據權利要求1所述的一種倒裝GaN功率器件封裝結構，其特征在于：所述芯片為GaN二極管，屬于平行器件，有源區(qū)皆分布于芯片正面，陰極與陽極焊接區(qū)之間做鈍化處理。

3.根據權利要求1或2所述的一種倒裝GaN功率器件封裝結構，其特征在于：所述芯片的金屬焊接區(qū)對準焊錫膏區(qū)，鈍化區(qū)對應銅層上涂刷的絕緣漆層。

4.根據權利要求1所述的一種倒裝GaN功率器件封裝結構的制備方法，其特征在于，包括下列步驟：

1)在陶瓷基板表面下沉開槽，槽體形狀為倒“凹”型；

2)在開槽的槽底形成銅層；

3)倒“凹”型槽體的上部中間涂覆絕緣漆，絕緣漆層的長邊兩側和正面銅層之間開設V槽；

4)倒“凹”形槽體的下部和長邊一側正面銅層各點上焊錫膏；

5)裝片時在V槽外側正面銅層上，遠離絕緣漆一側，各點上焊錫膏，將芯片倒裝貼附于銅層上，芯片的金屬焊接區(qū)應對準焊錫膏區(qū)，芯片的鈍化區(qū)對應銅層上所涂刷的絕緣漆層；

6)燒結時將上述步驟中的陶瓷覆銅片，引線框架以及芯片連同石墨底板放置于真空高溫燒結爐中，在預設的氣體濃度及溫度下進行燒結。