[發明專利]半導體結構制備方法及半導體結構

在審

• 申請號: 202011380582.2
• 申請日: 2020-11-30
• 公開（公告）號: CN114582793A
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 錢忠健;陳曉亮;陳天
• 申請（專利權）人: 無錫華潤微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 楊明莉

1.一種半導體器件結構制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供襯底，于所述襯底內形成淺溝槽；

采用熱氧化工藝形成覆蓋所述淺溝槽的底部和側壁的襯墊層；

采用沉積工藝于所述襯墊層的表面形成第一氧化層；

填充所述淺溝槽。

2.根據權利要求1所述的半導體器件結構制備方法，其特征在于，采用熱氧化工藝形成厚度為4.5nm-5.5nm的襯墊層。

3.根據權利要求1所述的半導體器件結構制備方法，其特征在于，采用沉積工藝形成厚度為9.5nm-10.5nm的第一氧化層。

4.根據權利要求1所述的半導體器件結構制備方法，其特征在于，形成的第一氧化層為氧化硅層。

5.根據權利要求1-4任一項所述的半導體器件結構制備方法，其特征在于，于所述襯底內形成淺溝槽包括如下步驟：

于所述襯底的上表面形成圖形化掩膜層，所述圖形化掩膜層內形成有第一開口圖形，所述第一開口圖形定義出所述淺溝槽的位置及形狀；

基于所述圖形化掩膜層刻蝕所述襯底，以于所述襯底內形成所述淺溝槽。

6.根據權利要求5所述的半導體器件結構制備方法，其特征在于，于所述襯底的上表面形成圖形化掩膜層包括如下步驟：

于所述襯底的上表面形成掩膜層；

在所述掩膜層的上表面涂覆光刻膠層，并對所述光刻膠層進行曝光、顯影以形成圖形化光刻膠層，所述圖形化光刻膠層內形成有第二開口圖形，所述第二開口圖形定義出所述淺溝槽的位置及形狀；

基于所述圖形化光刻膠層刻蝕所述掩膜層，以形成所述圖形化掩膜層；

去除所述圖形化光刻膠層。

7.根據權利要求6所述的半導體器件結構制備方法，其特征在于，于所述襯底的上表面形成掩膜層包括：

于所述襯底的上表面形成第二氧化層；

于所述第二氧化層的上表面形成氮化物層。

8.根據權利要求1-4任一項所述的半導體器件結構制備方法，其特征在于，

提供的所述襯底為SOI襯底；

所述SOI襯底包括依次層疊的背襯底、埋氧層及頂層硅層；

所述淺溝槽位于所述頂層硅層內。

9.根據權利要求1-4任一項所述的半導體器件結構制備方法，其特征在于，填充所述淺溝槽包括如下步驟：

采用高密度等離子體化學氣相淀積工藝于所述淺溝槽內沉積填充介質層，所述填充介質層填滿所述淺溝槽。

10.一種半導體器件結構，其特征在于，采用如權利要求1-9任一項所述的制備方法制成。