[發明專利]一種有機電存儲器件及其制備方法

有效

• 申請號: 202011380510.8
• 申請日: 2020-12-01
• 公開（公告）號: CN112201753B
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 肖標;郭豐;張明睿;鐘天
• 申請（專利權）人: 江漢大學
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40
• 代理公司: 武漢智嘉聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 42231
• 代理人: 柏琳容

1.一種有機電存儲器件，其特征在于，從下至上依次包括：底電極層、有機層和頂電極層；所述有機層由聚乙烯咔唑和稠環按照質量比(1~10):(0.1~1)共混制得；所述稠環的化學結構式為：

；所述有機層由所述聚乙烯咔唑和所述稠環按照質量比(1~10):(0.1~1)溶于溶劑，之后涂成膜在60-70℃真空環境下進行第一次退火處理，繼續在90-95℃的惰性氣體環境下進行第二次退火處理制得。

2.根據權利要求1所述的有機電存儲器件，其特征在于，所述有機層的厚度為10~500nm。

3.根據權利要求1所述的有機電存儲器件，其特征在于，所述有機層由所述聚乙烯咔唑和所述稠環按照質量比(1~10):(0.1~1)溶于溶劑，之后涂成膜在60-70℃真空環境下進行所述第一次退火處理3-4h，繼續在90-95℃的惰性氣體環境下進行所述第二次退火處理1-2h制得。

4.根據權利要求1所述的有機電存儲器件，其特征在于，所述溶劑為鄰二氯苯、氯苯、氯仿、甲苯和二甲苯中的一種或多種。

5.根據權利要求1所述的有機電存儲器件，其特征在于，所述底電極層包括導電膜和襯底層，所述導電膜鍍在所述襯底層上，所述有機層覆蓋在所述導電膜上，所述導電膜由銅、鎢、鎳、鋅、鋁、氧化銦錫和氟摻雜氧化鋅中的一種或者多種構成；所述頂電極層由鋁、銀和金中的一種或多種構成。

6.根據權利要求1所述的有機電存儲器件，其特征在于，所述頂電極層的厚度為20~500nm。

7.一種權利要求1-6任一項所述的有機電存儲器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將聚乙烯咔唑與稠環的混合物溶于溶劑中得到濃度為1~100mg/ml的溶液；

將所述溶液滴加在底電極層上并分散均勻，真空干燥除去殘余溶劑得到有機層；

通過真空蒸鍍法將頂電極層附著在所述有機層上得到所述有機電存儲器件。

8.根據權利要求7所述的制備方法，在將所述溶液滴加在底電極層上并分散均勻之前還包括：將底電極層中的襯底層依次經丙酮、玻璃清洗劑、去離子水和無水乙醇超聲清洗，之后干燥備用。