[發(fā)明專利]一種具有抗菌作用的AF鍍膜玻璃的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011380413.9 | 申請(qǐng)日： | 2020-11-30 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN112456812B | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-04-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳珂珩 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 江蘇中新瑞光學(xué)材料有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C03C17/34 | 分類號(hào)： | C03C17/34 |
| 代理公司： | 南京常青藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32286 | 代理人： | 王子瑜 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 具有 抗菌 作用 af 鍍膜 玻璃 制備 方法 | ||
本發(fā)明提供一種具有抗菌作用的AF鍍膜玻璃的制備方法，包括如下步驟：S1、利用溶劑或清洗劑對(duì)玻璃基板進(jìn)行超聲波清洗，然后再利用去離子水進(jìn)行沖洗，利用氮?dú)獯蹈桑籗2、利用真空鍍膜方式在玻璃基板上鍍一層SiO2膜基層；S3、向防指紋劑中加入納米銀，通過(guò)噴涂機(jī)將處理后的防指紋劑均勻噴涂到玻璃基板表面的SiO2膜基層上，然后將玻璃基板進(jìn)行烘干，取出冷卻，從而形成抗菌防指紋層；S4、在溶劑中分散SiO2顆粒和納米銀，制備成抗菌涂液，通過(guò)噴涂機(jī)將抗菌溶液均勻噴涂在玻璃基板的抗菌防指紋層上，然后將玻璃基板進(jìn)行烘干，取出冷卻，從而形成抗菌SiO2膜層。本發(fā)明的鍍膜玻璃具有防指紋和抗菌作用。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于玻璃鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種具有抗菌作用的AF鍍膜玻璃的制備方法。
背景技術(shù)
隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展和人類生活水平的不斷提高，玻璃已經(jīng)從單一的采光、透視和遮風(fēng)擋雨發(fā)展到具有各種特殊用途的多功能玻璃產(chǎn)品。AF鍍膜玻璃在玻璃外表面涂制一層化學(xué)材料，降低玻璃表面張力，使得玻璃具有較強(qiáng)的疏水、抗油污和抗指紋能力，但是這種AF鍍膜玻璃在人們長(zhǎng)期的使用接觸過(guò)程中，玻璃表面會(huì)滋生細(xì)菌，從而影響人們的身體健康，目前各行各業(yè)對(duì)具有抗菌作用的AF鍍膜玻璃的需求逐漸增多。對(duì)于例如觸摸屏等的細(xì)菌問(wèn)題，常用的方法是利用酒精和紫外進(jìn)行消毒滅菌，但是酒精和紫外消毒滅菌均存在一定的局限性，且需要相應(yīng)的酒精材料或者紫外設(shè)備。因此，急需一種能夠解決上述問(wèn)題的具有抗菌作用的AF鍍膜玻璃的制備方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種具有抗菌作用的AF鍍膜玻璃的制備方法。
本發(fā)明提供了如下的技術(shù)方案：
一種具有抗菌作用的AF鍍膜玻璃的制備方法，包括如下步驟：
S1、利用溶劑或清洗劑對(duì)玻璃基板進(jìn)行超聲波清洗，然后再利用去離子水進(jìn)行沖洗3-5次，利用氮?dú)獯蹈刹ＡЩ澹?/p>
S2、將處理后的玻璃基板置于鍍膜機(jī)上，利用真空鍍膜方式在玻璃基板上鍍一層SiO2膜基層；
S3、向防指紋劑中加入納米銀，通過(guò)噴涂機(jī)將處理后的防指紋劑均勻噴涂到玻璃基板表面的SiO2膜基層上，然后將噴涂后的玻璃基板置于烘箱內(nèi)進(jìn)行烘干，取出后靜置冷卻至室溫，從而在SiO2膜基層表面形成抗菌防指紋層；
S4、在溶劑中分散SiO2顆粒和納米銀，制備成抗菌涂液，通過(guò)噴涂機(jī)將抗菌溶液均勻噴涂在玻璃基板的抗菌防指紋層上，然后將噴涂后的玻璃基板置于烘箱內(nèi)進(jìn)行烘干，取出靜置冷卻至室溫，從而在抗菌防指紋層表面形成抗菌SiO2膜層。
優(yōu)選的，SiO2膜基層的厚度為10-30nm，抗菌防指紋層的厚度為50-100nm，抗菌SiO2膜層的厚度為6-10nm。
優(yōu)選的，S1步驟中采用的清洗劑或溶劑為弱堿型，有助于去除玻璃基板表面的油分、水分等污跡。
優(yōu)選的，S3步驟中的所述防指紋劑中含有磨砂顆粒和氟化物，納米銀的質(zhì)量占氟化物質(zhì)量的0.4-1％，磨砂顆粒質(zhì)量占氟化物質(zhì)量比為1-6％。
優(yōu)選的，S3步驟中烘干的條件是：烘箱的溫度為100-120℃，烘干時(shí)間為30-60min。
優(yōu)選的，S4步驟中納米銀的質(zhì)量占SiO2顆粒質(zhì)量的0.1-0.5％。
優(yōu)選的，S4步驟中烘干的條件是：烘箱的溫度為120-160℃，烘干時(shí)間為30-60min。
本發(fā)明的有益效果是：
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