[發(fā)明專利]半導體器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011379930.4 | 申請日： | 2019-09-12 |
| 公開（公告）號： | CN112635422A | 公開（公告）日： | 2021-04-09 |
| 發(fā)明（設計）人： | 松田慶太 | 申請（專利權(quán)）人： | 住友電工光電子器件創(chuàng)新株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/485 | 分類號： | H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 王偉;高偉 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導體器件 | ||
1.一種半導體器件，包括：
半導體區(qū)域；
位于所述半導體區(qū)域的表面上的金屬配線；
位于所述半導體區(qū)域的所述表面上的有機絕緣層，所述有機絕緣層具有第一開口，以露出所述金屬配線的一部分；
種金屬層，所述種金屬層覆蓋所述金屬配線從所述第一開口露出的所述一部分以及所述有機絕緣層的所述第一開口的內(nèi)側(cè)面和周緣部；
掩模，所述掩模覆蓋所述種金屬層的邊緣，所述掩模具有第二開口，以露出所述種金屬層的一部分；和
阻擋金屬層，所述阻擋金屬層位于從所述掩模的所述第二開口露出的所述種金屬層上，所述阻擋金屬層具有與所述掩模的所述第二開口的內(nèi)側(cè)面相接觸的外側(cè)面，
其中，所述掩模主要包含無機介電材料，并且
其中，在平面圖中，所述阻擋金屬層位于由所述掩模限定的區(qū)域內(nèi)，以及
焊球，所述焊球位于所述阻擋金屬層和得以保留而不被移除的所述掩模上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述焊球具有160μm的直徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，進一步包括：位于所述阻擋層上的金(AU)層，所述金(AU)層具有10nm的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述掩模包括絕緣硅化合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述阻擋金屬層是鎳(Ni)層，所述鎳(Ni)層的厚度為3μm至6μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述種金屬層包括鈦(Ti)層和位于所述鈦層上的鈀(Pd)層，所述鈦層的厚度為50nm所述鈀層的厚度為100nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述種金屬層的邊緣和所述掩模的內(nèi)邊緣之間的距離是4μm至8μm。
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