[發明專利]一種兼容LDMOS和GaN功放的設計方法

在審

• 申請號: 202011378230.3
• 申請日: 2020-12-01
• 公開（公告）號: CN112511108A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 俞啟進;張力;董昊;李江舟
• 申請（專利權）人: 南京典格通信科技有限公司
• 主分類號: H03F1/00
• 分類號: H03F1/00
• 代理公司: 南京知識律師事務所 32207
• 代理人: 張蘇沛

1.一種兼容LDMOS和GaN功放的設計方法，所述LDMOS功放是指正壓控制LDMOS功放，所述GaN功放是指負壓控制的GaN功放；其特征在于：

通過一個正壓的DAC或者類似電壓調節電路(如分壓電路)進行功放工作狀態的調節；通過一個加法器的設計，DAC控制電壓加上一個0電平或負壓電平，通過控制中心切換，兼容了LDMOS正壓和GaN負壓的工作狀態；通過漏極開關進行控制，實現了GaN和LDMOS的兼容。

2.根據權利要求1所述的兼容LDMOS和GaN功放的設計方法，其特征在于：

開關SW1低電平閉合，懸空或高電平斷開；

開關SW2低電平閉合，懸空或高電平斷開；

開關SW3低電平接地，高電平接負壓VSS。

3.根據權利要求1所述的兼容LDMOS和GaN功放的設計方法，其特征在于：

負壓發生模塊提供GaN所需的負壓，當負壓輸出完成后，負壓發生模塊會提供一個負壓輸出完成標志REG，當輸出負壓小于設定負壓閥值時，標志位清除。

4.根據權利要求1所述的兼容LDMOS和GaN功放的設計方法，其特征在于：

通過加法器實現功放柵壓可調，同時兼容GaN負壓的柵壓可調，通過電壓0與負壓VSS的切換，實現LDMOS和GaN功放的兼容。

柵壓控制實現功放輸出柵壓可調，用DAC，分壓電阻或者PWM波加濾波器方式實現；

控制中心MCU，實現LDMOS和GaN的切換，以及柵壓的控制調節。

5.根據權利要求1至4之一所述的兼容LDMOS和GaN功放的設計方法，其特征在于：

控制中心I/O切換到低電平，此時系統工作在LDMOS狀態，此時開關SW2接地，導致開關SW1閉合導通，漏極供電VDD上電；開關SW3切換到地，此時功放柵壓為DAC輸出的正壓；LDMOS實現正常工作；

控制中心I/O切換到高電平，此時系統工作在GaN狀態，此時開關SW2懸空，開關SW1只有在負壓發生模塊產生REG標志信號時，才會閉合導通，漏極供電VDD上電；開關SW3切換到VSS，此時功放柵壓為DAC輸出的正壓與VSS負壓的和，VSS的絕對值大于DAC輸出，實現負壓控制；GaN實現正常工作。