[發明專利]一種金剛石鍍膜系統、鍍膜方法、終端及可讀存儲介質

在審

• 申請號: 202011376251.1
• 申請日: 2020-11-30
• 公開（公告）號: CN112626484A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 孫浩斌;顏練武;張華;李昌業;司守佶;王煥濤
• 申請（專利權）人: 蓬萊市超硬復合材料有限公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C28/00;C23C14/24;C23C14/54;C23C14/02;C23C14/06;C25D5/48;C25D5/54
• 代理公司: 天津盈佳知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12224
• 代理人: 安娜

本發明公開是關于一種金剛石鍍膜系統、鍍膜方法、終端及可讀存儲介質，涉及蒸鍍設備技術領域，所述金剛石鍍膜系統的支架中部兩側固定有連接柱，兩個連接柱之間設置有底板；支架頂部設置有連接盤，連接盤上固定有伸縮桿，伸縮桿下端固定有蓋體；蓋體與底板密閉連接；凸臺上設置有保護墊，保護墊上固定有換能器，換能器上側設置有變幅桿，變幅桿上側設置有匯流板，匯流板上設置有石墨加熱電極，石墨加熱電極內設置有微沉積坩堝；石墨加熱電極與匯流板之間設置有絕緣絕熱板。本發明通過伸縮桿控制蓋體的開合，能夠保證使用者的安全，同時能夠提高工作效率，節省金剛石鍍膜的時間；且本發明控制裝置設置于第二立柱上，遠離微沉積坩堝，進一步保證使用者的安全。

技術領域

本發明公開涉及蒸鍍設備技術領域，尤其涉及一種金剛石鍍膜系統、鍍膜方法、終端及可讀存儲介質。

背景技術

金剛石鍍膜是指在鉆石或合成單晶硅或立方氧化鋯等表面，鍍上厚幾微米至幾十微米的金剛石薄膜的一種鍍膜工藝。目前用于向金剛石表面鍍覆金屬的裝置多為真空微蒸發鍍設備。該設備主要由真空泵，與所述真空泵通過管道相連通的擴散泵，以及通過帶有閥門的管道與所述擴散泵相連通的鍍覆室組成。

真空微蒸發鍍覆屬于物理氣相沉積技術中的一種，是一種通過在密閉環境下的真空升高溫度，使鍍覆元素粉末升華并達到該鍍覆元素的飽和蒸氣壓，在環境中鍍覆元素氣體濃度過飽和后凝結于金剛石顆粒上的一種鍍覆方法。該鍍覆方法鍍覆設備簡單，成本上較磁控濺射鍍覆以及旋轉化學鍍低，鍍覆步驟簡便，且最終得到的金剛石顆粒鍍覆層較為均勻，孔隙較少，組織生長較密，盡管現階段的科學技術無法對生長得到的鍍覆層進行精確的控制，但是仍可以通過對真空微蒸發鍍覆過程中鍍覆溫度與鍍覆時間進行改變，達到對鍍覆層的厚度以及化學組成進行一定程度上的控制的目的。

真空鍍覆技術中，現有文獻一“真空鍍膜技術在功能粉體中的應用及產業化展望”，羅志明，利用真空鍍膜技術可以實現粉體表面包覆、粉體表面改性以及粉體制備。計算分析了真空鍍膜法粉體包覆時粉體粒徑與真空鍍膜裝備設計、工藝參數之間的關系，認為通過傾斜滾動或者中間篩網方法，可實現任何粒徑粉體的均勻表面包覆鍍膜。利用等離子體輔助氣相沉積技術制備了納微米片碳粉體，利用光學顯微鏡、原子力顯微鏡、拉曼光譜、比表面測試儀等分析了該納微米片碳粉體的組成、結構及比表面積，通過浸漬法加載催化活性物質并測試了其加氫催化性能。隨著3D打印、粉末冶金、注射成型等現代粉體加工技術的發展與精度要求的提高，以及高性能功能粉體在油墨、發光、顯示、LED、催化、工模具、熱學、能源等方面的關鍵作用，通過真空鍍膜技術獲得高性能功能粉體越來越多的成為消費電子、航空航天、軍工科研等所有材料相關高技術領域關注的熱點。

但現有文獻一安全性較差，工作效率較低。

為解決工作效率較低現有文獻二公開一種“多功能熱絲化學氣相沉積金剛石涂層制備設備的研制”，劉魯生，根據國內熱絲化學氣相沉積金剛石制備設備現狀現狀，結合HFCVD法制備金剛石薄膜原理，研制多功能熱絲化學氣相沉積金剛石涂層制備設備。

但現有文獻二由于各部分的熱量傳遞不均勻以及混合粉末表面與內部之間的氣體流通速率不同會導致鍍覆不均勻。

為解決鍍覆不均勻，現有文獻三提供一種“金剛石薄膜的制備及透射率研究”，西安郵電大學理學院。用磁控濺射法制備金剛石薄膜，研究了工作氣壓、濺射電流、鍍膜時間三個參數對金剛石薄膜透射率的影響。得到最佳工藝參數:工作氣壓1.3Pa，濺射電流0.4A，鍍膜時間2min。鍍制的金剛石薄膜可以作為紅外元件的保護膜與增透膜。

但現有文獻三生成的碳化物層不均勻、鍍覆表面不夠致密。

現有技術四(CN206580883U)提供一種類金剛石鍍膜制備設備，包括：真空腔體、伴熱裝置、擴散器、流量控制器。但現有技術四鍍覆的過程中由于各部分的熱量傳遞不均勻以及混合粉末表面與內部之間的氣體流通速率不同會導致鍍覆不均勻。