[發(fā)明專利]晶體管外延結(jié)構(gòu)及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011375926.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112466932A | 公開(公告)日: | 2021-03-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳偉華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 泉芯集成電路制造(濟(jì)南)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L29/417 | 分類號(hào): | H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 劉曾 |
| 地址: | 250000 山東省濟(jì)南市*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶體管 外延 結(jié)構(gòu) 及其 制備 方法 | ||
1.一種晶體管外延結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
襯底基層;
生長(zhǎng)在所述襯底基層上的第一金屬層和緩沖層,其中所述緩沖層間隔設(shè)置于所述第一金屬層的相對(duì)兩側(cè);
以及生長(zhǎng)在所述緩沖層上的第二金屬層;
其中,所述緩沖層用于阻礙所述第二金屬層向所述襯底基層擴(kuò)散。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管外延結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一金屬層的相對(duì)兩側(cè)的所述襯底基層上形成有凹槽,所述緩沖層生長(zhǎng)在所述凹槽內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體管外延結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二金屬層和所述緩沖層內(nèi)均摻雜有半導(dǎo)體元素,且所述緩沖層的摻雜濃度小于所述第二金屬層的摻雜濃度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體管外延結(jié)構(gòu),其特征在于,所述半導(dǎo)體元素為硼元素或磷元素。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體管外延結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二金屬層中所述半導(dǎo)體元素的摻雜濃度為5e18-3e21/cm2之間,所述緩沖層中所述半導(dǎo)體元素的摻雜濃度為1e13-1e14/cm2之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管外延結(jié)構(gòu),其特征在于,所述緩沖層的厚度在2-20nm之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管外延結(jié)構(gòu),其特征在于,所述襯底基層為硅基層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管外延結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一金屬層用于形成柵極,所述第二金屬層用于形成源極和漏極。
9.一種晶體管外延結(jié)構(gòu)的制備方法,用于制備如權(quán)利要求1所述的晶體管外延結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
在襯底基層上生長(zhǎng)第一金屬層;
在所述第一金屬層的相對(duì)兩側(cè)的所述襯底基層上生長(zhǎng)緩沖層;
在所述緩沖層上生長(zhǎng)第二金屬層;
其中,所述緩沖層用于阻礙所述第二金屬層向所述襯底基層擴(kuò)散。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體管外延結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,在所述第一金屬層的相對(duì)兩側(cè)的所述襯底基層上生長(zhǎng)緩沖層的步驟,包括:
在所述第一金屬層的相對(duì)兩側(cè)的所述襯底基層上形成凹槽;
在所述凹槽內(nèi)生長(zhǎng)形成所述緩沖層。
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H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
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