[發(fā)明專利]晶體管外延結(jié)構(gòu)及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011375926.0
• 申請日: 2020-11-30
• 公開（公告）號: CN112466932A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳偉華
• 申請（專利權(quán)）人: 泉芯集成電路制造(濟南)有限公司
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L29/78
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 劉曾

1.一種晶體管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底基層；

生長在所述襯底基層上的第一金屬層和緩沖層，其中所述緩沖層間隔設(shè)置于所述第一金屬層的相對兩側(cè)；

以及生長在所述緩沖層上的第二金屬層；

其中，所述緩沖層用于阻礙所述第二金屬層向所述襯底基層擴散。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬層的相對兩側(cè)的所述襯底基層上形成有凹槽，所述緩沖層生長在所述凹槽內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二金屬層和所述緩沖層內(nèi)均摻雜有半導(dǎo)體元素，且所述緩沖層的摻雜濃度小于所述第二金屬層的摻雜濃度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體元素為硼元素或磷元素。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二金屬層中所述半導(dǎo)體元素的摻雜濃度為5e18-3e21/cm²之間，所述緩沖層中所述半導(dǎo)體元素的摻雜濃度為1e13-1e14/cm²之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述緩沖層的厚度在2-20nm之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底基層為硅基層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬層用于形成柵極，所述第二金屬層用于形成源極和漏極。

9.一種晶體管外延結(jié)構(gòu)的制備方法，用于制備如權(quán)利要求1所述的晶體管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

在襯底基層上生長第一金屬層；

在所述第一金屬層的相對兩側(cè)的所述襯底基層上生長緩沖層；

在所述緩沖層上生長第二金屬層；

其中，所述緩沖層用于阻礙所述第二金屬層向所述襯底基層擴散。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體管外延結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在所述第一金屬層的相對兩側(cè)的所述襯底基層上生長緩沖層的步驟，包括：

在所述第一金屬層的相對兩側(cè)的所述襯底基層上形成凹槽；

在所述凹槽內(nèi)生長形成所述緩沖層。