[發(fā)明專利]一種光電導(dǎo)裝置

在審

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• 申請日: 2020-11-30
• 公開（公告）號: CN112462537A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蒂姆柯藍(lán);馬克西姆
• 申請（專利權(quán)）人: 劉慧
• 主分類號: G02F1/03
• 分類號: G02F1/03
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種光電導(dǎo)裝置，其特征在于，包括：被配置為發(fā)光的光源；

放置用于接收來自光源的光的晶體材料，其中該晶體材料被摻雜有摻雜劑，該摻雜劑在該晶體材料的帶隙內(nèi)形成中間帶隙狀態(tài)以控制該晶體材料的復(fù)合時間；

第一電極，其耦合到所述晶體材料以為所述晶體材料提供第一電接觸；以及

第二電極，其耦合到所述晶體材料以提供用于所述晶體材料的第二電接觸，其中所述第一電極和所述第二電極被配置為在所述晶體材料上建立電場，并且其中所述晶體材料被配置為呈現(xiàn)基本線性的響應(yīng)于從光源接收光而產(chǎn)生的跨導(dǎo)；還包括在晶體材料上的反射涂層，以允許光在晶體材料內(nèi)反射；晶體材料包括輸入孔，以允許光從第一端進(jìn)入晶體材料，以及在輸入孔的相對端上的小平面，該小平面相對于進(jìn)入晶體材料的光的路徑傾斜。

2.如權(quán)利要求1所述的光電導(dǎo)裝置，其特征在于，進(jìn)入結(jié)晶材料的光的波長長于對應(yīng)于結(jié)晶材料的帶隙的波長。

3.如權(quán)利要求1所述的光電導(dǎo)裝置，其特征在于，結(jié)晶材料具有彎曲的表面。

4.如權(quán)利要求1所述的光電導(dǎo)裝置，其特征在于，結(jié)晶材料包括碳化硅。

5.如權(quán)利要求1所述的光電導(dǎo)裝置，其特征在于，摻雜劑包括以下之一：釩，氮，鋁或硼。

6.如權(quán)利要求1所述的光電導(dǎo)裝置，其特征在于，還包括：

光波導(dǎo)，其位于光源和晶體材料之間的光路上，以將光從光源引導(dǎo)到晶體材料。

7.如權(quán)利要求1所述的光電導(dǎo)裝置，其特征在于，第一電極形成為包括金屬，金屬合金或金屬基質(zhì)中的一種的基板。

8.如權(quán)利要求1所述的光電導(dǎo)裝置，其特征在于，還包括：

襯底位于晶體材料和第一電極之間，以在由光激發(fā)時散布晶體材料產(chǎn)生的熱量。

9.如權(quán)利要求1所述的光電導(dǎo)裝置，其特征在于，襯底包括金屬化金剛石，氧化鋁上的直接鍵合銅，氮化鋁，銀化學(xué)氣相沉積金剛石(CVD)，鋁CVD或銅CVD中的一種。

10.如權(quán)利要求1所述的光電導(dǎo)裝置，其特征在于，還包括位于襯底和晶體材料之間或襯底和第一電極之間的粘結(jié)材料，以減小襯底和晶體材料之間或襯底和基板之間的熱膨脹系數(shù)的梯度；結(jié)合材料包括96.5％的錫，3％的銀和0.5％的銅；還包括：

晶體材料周圍的絕緣涂層；絕緣涂層包括多層聚酰亞胺膜；摻雜晶體材料以產(chǎn)生重組時間，該重組時間比控制光源的電信號的最高頻率分量的特征時間小至少一個數(shù)量級；所述晶體材料被摻雜以包括特定量的載流子，以在被具有特定波長或波長范圍的光激發(fā)時實現(xiàn)重組時間的預(yù)定值；所述晶體材料形成為接收來自光源的光的結(jié)構(gòu)的一部分，并且其中，所述結(jié)構(gòu)的形狀被成形為使傳播通過所述晶體材料的光經(jīng)歷多次內(nèi)部反射。