[發明專利]一種數據存儲方法、裝置、設備及介質

有效

• 申請號: 202011374170.8
• 申請日: 2020-11-30
• 公開（公告）號: CN112346664B
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發明（設計）人: 陳湖廣
• 申請（專利權）人: 湖南國科微電子股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 丁曼曼

本申請公開了一種數據存儲方法、裝置、設備及介質，該方法包括：讀取本地一次性可編程寄存器中的目標字段；確定所述目標字段對應的存儲模式類型；基于所述存儲模式類型確定默認存儲模式，并以所述默認存儲模式進行數據存儲?？梢姡扉W存儲器通過讀取本地一次性可編程寄存器中預先設置的目標字段，根據目標字段確定出存儲模式類型，進而確定出默認存儲模式，以便根據確定出的默認存儲模式進行數據存儲，由此，通過設置一次性可編程寄存器中的目標字段，可以靈活變化快閃存儲器出廠的默認工作模式，進而兼容不同的SSD主控廠商，同時不受快閃存儲器的模式進入方式的限制，提高了快閃存儲器的兼容性。

技術領域

本發明涉及存儲器領域，特別涉及一種數據存儲方法、裝置、設備及介質。

背景技術

當前，Nand快閃存儲器通用的存儲模式有四種，分別為SLC(即Single?LevelCell，單層存儲單元)模式、MLC(即Mulit?Level?Cell，雙層存儲單元)模式、TLC(即TripleLevel?Cell，三層存儲單元)模式和QLC(即Quad?Level?Cell，四層存儲單元)模式。雖然Nand快閃存儲器已經發展到TLC階段，即一個存儲單元上可以存儲3個bits的數據，以及QLC階段，即一個存儲單元上可以存儲4個bits的數據；但是在各個SSD(即Solid?State?Disk，固態硬盤)方案中，SSD主控廠商為了保證存儲在Nand快閃存儲器中的代碼文件有較好的數據保持性，通常依舊使用SLC模式存儲固件代碼；但由于發展的多樣性，不同類別Nand快閃存儲器進入SLC模式的方式均不相同，并且不同時期也可能使用不同的進入方式，因此需要兼容不同的進入方式。

通用技術中，由SSD主控廠商通過設計啟動代碼(即boot代碼)來兼容Nand快閃存儲器進入SLC模式的方式，但是通過boot代碼的兼容性來解決模式選擇的方式存在局限性，即使不斷提高boot代碼的兼容性也會存在不兼容情況。并且，由于boot代碼通常是固定在芯片的ROM當中，為了提高對不同Nand快閃存儲器的兼容性，通常會使用GPIO、OTP等芯片資源，造成資源浪費。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種數據存儲方法、裝置、設備及介質，能夠提高Nand快閃存儲器的兼容性。其具體方案如下：

第一方面，本申請公開了一種數據存儲方法，應用于快閃存儲器，包括：

讀取本地一次性可編程寄存器中的目標字段；

確定所述目標字段對應的存儲模式類型；

基于所述存儲模式類型確定默認存儲模式，并以所述默認存儲模式進行數據存儲。

可選的，所述讀取本地一次性可編程寄存器中的目標字段之前，還包括：

接收主控芯片發送的模式進入指令；

基于所述模式進入指令進行上電初始化流程。

可選的，所述目標字段的創建過程，包括：

在所述一次性可編程寄存器中添加一個比特位作為所述目標字段，用于標識存儲模式類型。

可選的，所述確定所述目標字段對應的存儲模式類型，包括：

若所述目標字段為第一預設標識符，則確定所述目標字段對應的所述存儲模式類型為單層存儲單元模式；

若所述目標字段為第二預設標識符，則確定所述目標字段對應的所述存儲模式類型為多層存儲單元模式。

可選的，所述在所述一次性可編程寄存器中添加一個比特位作為所述目標字段之后，還包括：

將所述第一預設標識符與所述單層存儲單元模式創建關聯關系；

將所述第二預設標識符與所述多層存儲單元模式創建關聯關系。