[發(fā)明專利]電池封印在線測厚裝置及方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011374051.2
• 申請日: 2020-11-30
• 公開（公告）號: CN112556588A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 谷新運;黃志偉;陳龍云;彭寧;曾玉祥
• 申請（專利權(quán)）人: 珠海冠宇電池股份有限公司
• 主分類號: G01B11/06
• 分類號: G01B11/06
• 代理公司: 廣東朗乾律師事務(wù)所 44291
• 代理人: 閆有幸;田學(xué)東

1.一種電池封印在線測厚裝置，包括支架組件和支架組件上設(shè)置的電芯承載組件及封印測厚組件；其特征在于：所述電芯承載組件包括用于承載被測電芯的電芯承載件及與所述電芯承載件壓合配合將被測電芯的封印壓緊的封印壓件，所述電芯承載件及封印壓件彼此于壓緊所述封印的部位對應(yīng)開設(shè)有至少一組檢測通槽；所述封印測厚組件包括光軸同軸且相對設(shè)置的上分光干涉式傳感器和下分光干涉式傳感器，且設(shè)置的位置滿足：上分光干涉式傳感器的檢測激光線穿過所述封印壓件的檢測通槽直射所述封印上表面，下分光干涉式傳感器的檢測激光線穿過所述電芯承載件的對應(yīng)檢測通槽直射所述封印下表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測厚裝置，其特征在于：所述檢測通槽左右向具有一定長度及或所述檢測通槽至少為左右向布置的兩組；所述測厚裝置還包括驅(qū)動所述電芯承載組件相對所述支架組件左右位移的位移驅(qū)動組件。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測厚裝置，其特征在于：所述位移驅(qū)動組件包括基臺、滑臺及第一驅(qū)動機構(gòu)，基臺固定設(shè)置于所述支架組件上，滑臺設(shè)置于基臺上方，第一驅(qū)動機構(gòu)與滑臺連接并驅(qū)動滑臺相對基臺左右活動；所述電芯承載件直接或者通過一個安裝板且前后向可調(diào)地設(shè)置于所述滑臺上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測厚裝置，其特征在于：所述電芯承載組件還包括驅(qū)動所述電芯承載件前后可調(diào)的第二驅(qū)動機構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測厚裝置，其特征在于：所述電芯承載組件還包括第三驅(qū)動機構(gòu)，驅(qū)動所述封印壓件與所述電芯承載件分離或壓合地配合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項所述的測厚裝置，其特征在于：所述封印測厚組件還包括基板、上傳感器安裝座、下傳感器安裝座；所述支架組件上提供有縱向滑槽，所述基板可縱向滑動地配合于所述滑槽內(nèi)，所述上傳感器安裝座和下傳感器安裝座上下間隔分布地設(shè)置于基板上，所述上分光干涉式傳感器和下分光干涉式傳感器分別設(shè)置于所述上傳感器安裝座和下傳感器安裝座上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的測厚裝置，其特征在于：所述上傳感器安裝座和下傳感器安裝座各自包括縱向滑塊基座、縱向滑塊、縱向滑塊驅(qū)動機構(gòu)、橫向滑塊基座、橫向滑塊、橫向滑塊驅(qū)動機構(gòu)、傳感器安裝夾；縱向滑塊基座固定設(shè)置于所述基板上，縱向滑塊和縱向滑塊驅(qū)動機構(gòu)設(shè)置于縱向滑塊基座上，且縱向滑塊驅(qū)動機構(gòu)驅(qū)動縱向滑塊相對縱向滑塊基座縱向滑動；橫向滑塊基座固定設(shè)置于縱向滑塊上，橫向滑塊和橫向滑塊驅(qū)動機構(gòu)設(shè)置于橫向滑塊基座上，且橫向滑塊驅(qū)動機構(gòu)驅(qū)動橫向滑塊相對橫向滑塊基座橫向滑動，傳感器安裝夾固定連接于橫向滑塊上；所述上分光干涉式傳感器夾持于上傳感器安裝座的傳感器安裝夾上，所述下分光干涉式傳感器夾持于下傳感器安裝座的傳感器安裝夾上。

8.一種電池封印在線測厚方法，基于權(quán)利要求1所述的測厚裝置，其特征在于，包括：

(1)在所述電芯承載件內(nèi)放置被測電芯，使得所述封印壓件與所述電芯承載件壓合以壓緊被測電芯的封印；

(2)控制所述上分光干涉式傳感器和下分光干涉式傳感器對某組檢測通槽處的所述封印進行測厚檢測，通過波峰位移圖檢測所述封印及封印各層厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的測厚方法，其特征在于：步驟(2)還包括：控制電芯承載件、封印壓件及其上被測電芯相對所述上分光干涉式傳感器和下分光干涉式傳感器左右活動，同時控制所述上分光干涉式傳感器和下分光干涉式傳感器進行以下方式的檢測：對某組檢測通槽處的所述封印的多個檢測點進行檢測并獲取一組數(shù)據(jù)；及或，對兩組以上檢測通槽處的所述封印進行檢測并獲取兩組以上數(shù)據(jù)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的測厚方法，其特征在于：步驟(2)中，所述上分光干涉式傳感器檢測所述封印的尼龍層表面及鋁層表面的位移波峰圖，下分光干涉式傳感器檢測所述封印的粘接層表面及鋁層表面的位移波峰圖，通過處理位移波峰圖之間的距離信息，得到所述封印厚度、尼龍層厚度、粘接層厚度以及鋁層厚度。