[發明專利]一種模塊及模塊加工方法

有效

• 申請號: 202011373910.6
• 申請日: 2020-11-30
• 公開（公告）號: CN112582442B
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發明（設計）人: 文波;林遠彬;秦快;郭恒;田桂蘭;歐陽小波
• 申請（專利權）人: 佛山市國星光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62;H01L21/68
• 代理公司: 廣東廣盈專利商標事務所(普通合伙) 44339
• 代理人: 李俊

本發明提供了一種模塊及模塊加工方法，該模塊包括基板和芯片，所述芯片的軸向尺寸較徑向尺寸大；所述基板上設置有用于產生輔助場的第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極之間設置有電極線路；在所述第一電極和第二電極之間陣列設置有若干個所述芯片，任意兩個相鄰的芯片之間的距離為預設值；所述芯片的軸向兩端分別為正極端和負極端，任一個所述芯片的正極端和負極端鍵合在所述電極線路的對應位置上。該模塊通過特定的模塊加工方法形成，能夠保證芯片的固晶位置精確，保證模塊成型質量。

技術領域

本發明涉及到電子模塊領域，具體涉及到一種集成模塊及功率模塊。

背景技術

目前，在Mini/Micro LED顯示領域和背光領域，為了制作發光二極管顯示器，需要將微小的芯片從原始襯底轉移到接收基板上并排列成陣列，在涉及到巨量的微小芯片的轉移步驟中，現有工藝下還存在著大量的問題，如芯片在轉移至接收基板上后，由于芯片的慣量是極其微小的，一方面，原始襯底在脫離時容易對芯片的位置和姿態造成影響，另一方面，現有固晶工藝在實施時也會對芯片產生一定的作用力，導致芯片的位置和姿態發生變化，對于巨量的芯片排布而言，芯片的位置和姿態的變化，對最終成品的質量和良品率都有一定程度的影響，因此，如何實現芯片的精確轉移定位成為亟待解決的技術問題。

發明內容

為了克服現有微小芯片的轉移問題，本發明實施例提供了一種模塊及模塊加工方法，該模塊通過輔助場調節每一個芯片的姿態與位置，能夠保證芯片的固晶位置和自身姿態與預設值一致，提高產品的質量和良品率。

相應的，本發明提供了一種模塊，包括基板和芯片，所述芯片的軸向尺寸較徑向尺寸大；

所述基板上設置有用于產生輔助場的第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極之間設置有電極線路；

在所述第一電極和第二電極之間陣列設置有若干個所述芯片，任意兩個相鄰的芯片之間的距離為預設值；

所述芯片的軸向兩端分別為正極端和負極端，任一個所述芯片的正極端和負極端鍵合在所述電極線路的對應位置上。

可選的實施方式，所述電極線路包括若干組線路單元，每一組線路單元包括并排設置的一條正極線路和一條負極線路；

任一個所述芯片的正極端鍵合在對應的線路單元的正極線路上，任一個所述芯片的負極端鍵合在對應的線路單元的負極線路上。

可選的實施方式，任一條所述正極線路在對應于對應的芯片的正極端的表面設置有正極凹槽，所述芯片的正極端配合在對應的正極凹槽中；

和/或任一條所述負極線路在對應于對應的芯片的負極端的表面設置有負極凹槽，所述芯片的負極端配合在對應的負極凹槽中。

可選的實施方式，所述正極線路與所述第一電極連接，所述負極線路與所述第二電極連接。

可選的實施方式，任一個所述芯片的正極端和/或負極端基于電化學沉積工藝形成的膜層鍵合在所述電極線路的對應位置上。

相應的，本發明還提供了一種模塊加工方法，包括：

將若干個芯片初步轉移至基板上，所述若干個芯片位于所述基板的第一電極和第二電極之間，且任一個所述芯片落于對應的可調整區域內；

對所述第一電極和第二電極施加頻率恒定且電壓大小恒定的預設交流電壓，在第一電極和第二電極間生成輔助場，所述輔助場以使落于所述輔助場內的每一個所述芯片調整至預設位置和預設姿態；

將所述芯片的正極端和負極端分別鍵合在所述電極線路的對應位置上。

可選的實施方式，所述輔助場為梯度電場，所述梯度電場使所述芯片極化，所述芯片的軸線與所述梯度電場的梯度變化方向保持一致；