[發明專利]一種高溫化學沉積制備碳化硅單晶的裝置和方法在審
| 申請號： | 202011373890.2 | 申請日： | 2020-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN112458532A | 公開（公告）日： | 2021-03-09 |
| 發明（設計）人： | 魏汝省;李斌;王英民;周立平;毛開禮;范云;靳霄曦;樊曉 | 申請（專利權）人： | 山西爍科晶體有限公司 |
| 主分類號： | C30B25/14 | 分類號： | C30B25/14;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京高沃律師事務所 11569 | 代理人： | 趙曉琳 |
| 地址： | 030006 山西省太*** | 國省代碼： | 山西;14 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高溫 化學 沉積 制備 碳化硅 裝置 方法 | ||
1.一種高溫化學沉積制備碳化硅單晶的裝置，包括雙層水冷套以及設置于所述雙層水冷套兩端的上密封法蘭和下密封法蘭；
還包括設置于所述雙層水冷套內部的坩堝；
還包括與所述坩堝的底部相連通的氣體導流管；
還包括設置于所述雙層水冷套外部的感應加熱線圈。
2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述氣體導流管為雙層結構。
3.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述上密封法蘭上還設置有紅外測溫計。
4.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述坩堝為帶蓋坩堝，所述坩堝的頂部設置有碳化硅籽晶。
5.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括包覆所述坩堝的保溫材料。
6.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述感應加熱線圈位于坩堝的上部，所述感應加熱線圈的內側距離坩堝的外壁距離為50mm。
7.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述氣體導流管的出氣口設置于所述坩堝的內部，所述氣體導流管的出氣口距離所述坩堝頂部的距離為100～200mm。
8.基于權利要求1～7任一項所述裝置的碳化硅單晶生長方法，包括以下步驟：
將氣體原料通過氣體導流管通入坩堝內，進行晶體生長，得到碳化硅單晶；所述氣體原料包括硅源、碳源和載氣。
9.根據權利要求8所述的碳化硅單晶生長方法，其特征在于，所述硅源為SiH4、SiH3Cl、SiH2Cl2、SiHCl3或SiCl4；所述碳源為CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H6或C3H8；所述載氣為氬氣或氦氣。
10.根據權利要求8所述的碳化硅單晶生長方法，其特征在于，所述晶體生長的溫度為2000～2200℃，時間為60～200h。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于山西爍科晶體有限公司，未經山西爍科晶體有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011373890.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種幕墻鋁塑板安裝施工方法
- 下一篇：一種枸櫞酸焦磷酸鐵絡合物及其制備方法
