[發明專利]一種可實現空間位移的電介質薄層和石墨烯的復合結構

在審

• 申請號: 202011373121.2
• 申請日: 2020-11-30
• 公開（公告）號: CN112363252A
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發明（設計）人: 趙東
• 申請（專利權）人: 湖北科技學院
• 主分類號: G02B1/00
• 分類號: G02B1/00;G02B5/08
• 代理公司: 咸寧鴻信專利代理事務所(普通合伙) 42249
• 代理人: 汪彩彩

1.一種可實現空間位移的電介質薄層和石墨烯的復合結構，其特征在于，包括非厄米電介質薄層(G)和兩個石墨烯單層(σ)，兩個石墨烯單層(σ)分別沉積在非厄米電介質薄層(G)的兩側形成一個三層結構；在光波以非垂直入射角度由某一石墨烯單層(σ)穿過時，可提高共振態的反射率，且在共振態附近可以獲得大的古斯-漢森位移。

2.根據權利要求1所述一種可實現空間位移的電介質薄層和石墨烯的復合結構，其特征在于，所述非厄米電介質薄層(G)的材料為二氧化硅，可通過摻入鉺離子實現對非厄米電介質薄層(G)的增益控制，可摻入銅離子對非厄米電介質薄層(G)的損耗控制。