[發明專利]提升鹵化亞汞單晶體結晶性和光學透過率的處理方法

有效

• 申請號: 202011372197.3
• 申請日: 2020-11-30
• 公開（公告）號: CN112647134B
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發明（設計）人: 張國棟;劉琳;李榮臻;陶緒堂
• 申請（專利權）人: 山東大學
• 主分類號: C30B33/02
• 分類號: C30B33/02;C30B29/12
• 代理公司: 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219
• 代理人: 張宏松

1.提升溴化亞汞單晶體結晶性和光學透過率的處理方法，步驟如下：

（1）溴化亞汞晶體處理

采用SYJ-150低速金剛石切割機對Ф 35×40 mm³溴化亞汞晶體進行切割，得到5×5×2mm³的溴化亞汞晶片，

采用粗糙度為7000目砂紙對切割所得晶片進行粗拋以去除切割劃痕，后采用粒度為0.5 μm的Al₂O₃拋光粉的乙醇懸濁液對晶片進行精細拋光，拋光結束后用乙醇將晶片表面沖洗干凈；

（2）退火后處理

將雙面拋光后的溴化亞汞晶片置于預處理后的高純石英坩堝內，待石英坩堝內真空度降至10^-4 Pa以下后燒結密封石英坩堝并將其置于多溫區真空退火爐內進行退火后處理，高純石英坩堝直徑為12mm，長度為10cm，高純石英坩堝的預處理為：依次采用質量濃度20%的氫氧化鈉溶液、蒸餾水及質量濃度95%的酒精對高純石英坩堝進行清洗，退火處理過程首先從室溫以5℃/h的升溫速率升至160℃，并在此狀態下保溫100h，最后以2℃/h的降溫速率降至室溫；經過退火后處理，溴化亞汞晶體搖擺曲線半峰寬下降至0.44°，半峰寬減小，晶體結晶性得到提高。

2.提升溴化亞汞單晶體結晶性和光學透過率的處理方法，步驟如下：

（1）暗化溴化亞汞單晶體處理

采用SYJ-150低速金剛石切割機對Ф 35×40 mm³暗化溴化亞汞單晶體進行切割，得到5×5×2 mm³的溴化亞汞晶片，采用粗糙度為7000目砂紙對切割所得晶片進行粗拋以去除切割劃痕，后采用粒度為0.5 μm的Al₂O₃拋光粉的乙醇懸濁液對晶片進行精細拋光，拋光結束后用乙醇將晶片表面沖洗干凈；暗化溴化亞汞單晶體為溴化亞汞晶體在功率為100 mW，波長為365 nm的氙燈下輻照15min得到的晶體；

（2）退火后處理

將雙面拋光后的溴化亞汞晶片置于預處理后的高純石英坩堝內，待石英坩堝內真空度降至10^-4 Pa以下后燒結密封石英坩堝并將其置于多溫區真空退火爐內進行退火后處理，高純石英坩堝直徑為12mm，長度為10cm，高純石英坩堝的預處理為：依次采用質量濃度20%的氫氧化鈉溶液、蒸餾水及質量濃度95%的酒精對高純石英坩堝進行清洗，退火處理過程首先從室溫以5℃/h的升溫速率升至160℃，并在此狀態下保溫100h，最后以2℃/h的降溫速率降至室溫；退火處理后暗化溴化亞汞單晶體晶體顏色恢復，光學透過率提升至與光照前相當水平，光譜透過范圍明顯拓寬。