[發明專利]一種應用于干式刻蝕工藝的上部電極等離子熔射方法

有效

• 申請號: 202011368454.6
• 申請日: 2020-11-30
• 公開（公告）號: CN112490106B
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 權太植
• 申請（專利權）人: 合肥微睿光電科技有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570
• 代理人: 劉杰

本發明公開了一種應用于干式刻蝕工藝的上部電極等離子熔射方法，具體包括：S1.遮蔽：采用不銹鋼板對上部電極進行遮蔽，遮蔽非熔射面，露出熔射面；S2.噴砂：對熔射面進行噴砂處理；S3.等離子噴涂：對熔射面進行等離子噴涂；S4.去除遮蔽：去除上部電極上遮蔽的不銹鋼板；S5.一次清洗：采用干冰清洗方式清洗上部電極的表面；S6.檢查：檢查熔射涂層的外觀和尺寸；S7.二次清洗：采用高壓清洗方式清洗上部電極上的電極孔；S8.干燥：對上部電極進行烘干。本發明能夠獲得所需厚度的熔射涂層，提高了上部電極的脆弱部位的絕緣性及耐腐蝕性，且能夠降低在使用端上線時形成電弧與擊穿的發生率，延長了上部電極的使用壽命。

技術領域

本發明涉及TFT-LCD(薄膜晶體管液晶顯示器)制造技術領域，具體是一種應用于干式刻蝕工藝的上部電極等離子熔射方法。

背景技術

TFT-LCD(薄膜晶體管液晶顯示器)制造工藝中的干式刻蝕(Dry Etch)工藝是指在真空腔室內部，通過等離子體刻蝕去除在LCD玻璃基板(LCD GLASS)上形成的金屬(Mo，Ta，Al，ITO)和絕緣膜(Si，SiNx)的工藝。

受這種等離子體刻蝕環境的影響，真空腔室的耗材因為腐蝕性需要周期性的更換，進行維護管理。其中上部電極作為耗材中的核心部件，具有提供氣體(GAS)均勻噴射口的功能。上部電極通過在鋁合金表面進行陽極氧化處理，以達到提高等離子體環境中的耐腐蝕性和絕緣性。高品質的上部電極，可以延長更換周期，提高運行率的效果。目前，為了延長其使用壽命，在形成陽極氧化膜后再對孔周圍進行等離子熔射，來加強耐腐蝕性和絕緣性。

10.5代TFT-LCD是目前LCD行業最大尺寸的產品，相對于8.5、7、6代等產品，其干式刻蝕所用的上部電極耗材尺寸也是最大的。上部電極應用于TET-LCD干式刻蝕制造設備內，大多數為鋁制品，在對陽極氧化膜表面進行等離子熔射后，賦予上部電極良好的耐電壓、阻抗及耐腐蝕性能。

干式刻蝕的大型化(10.5G)意味著更高的注入能量(RF Power)，應用更大量的腐蝕性等離子氣體，因此對于上部電極皮膜及涂層的電氣性能，其品質要求高于8.5G及以下的陽極氧化膜和涂層膜性能要求。

上部電極的電氣性能包括耐電壓、阻抗、耐腐蝕性等，這些重要的性能參數均與陽極氧化膜和熔射涂層的厚度密切相關。因此，有必要設計一種應用于干式刻蝕工藝的上部電極等離子熔射方法，來降低上部電極在使用端上線時形成電弧與擊穿的發生率，以延長上部電極的使用壽命。

發明內容

本發明的目的是為了克服現有技術存在的缺陷和不足，提供一種應用于干式刻蝕工藝的上部電極等離子熔射方法，能夠獲得所需厚度的熔射涂層，以提高上部電極的脆弱部位的絕緣性及耐腐蝕性，且能夠降低在使用端上線時形成電弧與擊穿的發生率，并可延長上部電極的使用壽命。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種應用于干式刻蝕工藝的上部電極等離子熔射方法，其特征在于：具體包括以下步驟：

S1.遮蔽：選用一塊表面均布有圓孔的不銹鋼板，其中所述圓孔的內徑大于待熔射的上部電極上的電極孔的內徑，將所述的不銹鋼板覆蓋并固定在待熔射的上部電極的表面，要求不銹鋼板上的圓孔與待熔射的上部電極上的電極孔一一對應，待熔射的上部電極中，從圓孔中露出的表面為熔射面，其他部位為非熔射面，并被所述不銹鋼板遮蔽；

S2.噴砂：對步驟S1中被不銹鋼板遮蔽的上部電極的熔射面進行噴砂處理，使得所述熔射面的粗糙度達到2～5μm；

S3.等離子噴涂：對經步驟S2噴砂處理后的上部電極的熔射面進行等離子噴涂，在所述的熔射面上形成厚度為170～230μm的熔射涂層；

S4.去除遮蔽：將經步驟S3等離子噴涂后的上部電極上遮蔽的不銹鋼板去除；