[發明專利]一種電磁輻射調節裝置、方法及電子設備

有效

• 申請號: 202011364997.0
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN112611927B
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發明（設計）人: 崔杰
• 申請（專利權）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00;G01R1/30;H03H11/04;H03K17/687;G01R23/165;G01R23/20
• 代理公司: 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570
• 代理人: 徐彥圣

1.一種電磁輻射調節裝置，其特征在于，所述裝置包括差分信號電路，以及與所述差分信號電路相連接的電磁分析裝置、開關電路和濾波調節電路；

所述電磁分析裝置用于分析所述差分信號電路的電磁輻射值；

所述開關電路用于在所述電磁輻射值大于閾值時，關閉所述差分信號電路的輸出信號；

所述濾波調節電路用于在所述輸出信號關閉后，所述電磁輻射值小于閾值時，進行調節降低電磁輻射；

所述濾波調節電路包括二極管D1、二極管D2、電容C1、電容C2、MOS管M3和MOS管M4；

所述二極管D1的正極與所述輸出信號的負向輸出信號相連，所述二極管D2的正極與所述輸出信號的正向輸出信號相連，所述二極管D1的負極分別與所述二極管D2的負極、所述電容C1的一端和所述電容C2的一端相連，所述電容C1的另一端與所述MOS管M3的源極相連，所述電容C2的另一端與所述MOS管M4的源極相連，所述MOS管M3的柵極輸入第二電平信號，所述MOS管M4的柵極輸入第三電平信號，所述MOS管M3的漏極和所述MOS管M4的漏極接地；

在所述第二電平信號為高電平時，所述電容C1接入所述差分信號電路中進行濾波，以降低電磁輻射；

在所述第三電平信號為高電平時，所述電容C2接入所述差分信號電路中進行濾波，以降低電磁輻射。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述開關電路包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M5、運算放大器U1、電阻R1和電阻R2；

所述MOS管M1的源極輸入所述差分信號電路的正向輸入信號，所述MOS管M1的漏極輸出所述輸出信號的正向輸出信號，所述MOS管M2的源極輸入所述差分信號電路的負向輸入信號，所述MOS管M2的漏極輸出所述輸出信號的負向輸出信號，所述運算放大器U1的正向輸入端輸入第一電平信號，所述運算放大器U1的負向輸入端接地，所述運算放大器U1的第一輸出端接地，所述運算放大器U1的第二輸出端與所述MOS管M5的柵極相連，所述運算放大器U1的第三輸出端分別與所述電阻R1和所述電阻R2的一端相連，所述電阻R1的另一端連接電源信號，所述電阻R2的另一端分別與所述MOS管M1的柵極、所述MOS管M2的柵極和所述MOS管M5的源極相連，所述MOS管M5的漏極接地。

3.根據權利要求2所述的裝置，其特征在于，在所述第一電平信號為低電平信號時，所述差分信號電路輸出所述輸出信號；

在所述第一電平信號為高電平信號時，所述差分信號電路關閉所述輸出信號。

4.根據權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述電磁分析裝置還用于，根據所述第一電平信號判斷所述電磁輻射值是否小于閾值。

5.一種電磁輻射調節方法，其特征在于，應用于電磁輻射調節裝置，所述裝置包括差分信號電路，以及與所述差分信號電路相連接的電磁分析裝置、開關電路和濾波調節電路；

所述濾波調節電路包括二極管D1、二極管D2、電容C1、電容C2、MOS管M3和MOS管M4；

所述方法包括：

電磁分析裝置分析差分信號電路的電磁輻射值；

開關電路在所述電磁輻射值大于閾值時，關閉所述差分信號電路的輸出信號；

濾波調節電路在所述輸出信號關閉后，所述電磁輻射值小于閾值時，進行調節降低電磁輻射；

所述二極管D1的正極與所述輸出信號的負向輸出信號相連，所述二極管D2的正極與所述輸出信號的正向輸出信號相連，所述二極管D1的負極分別與所述二極管D2的負極、所述電容C1的一端和所述電容C2的一端相連，所述電容C1的另一端與所述MOS管M3的源極相連，所述電容C2的另一端與所述MOS管M4的源極相連，所述MOS管M3的柵極輸入第二電平信號，所述MOS管M4的柵極輸入第三電平信號，所述MOS管M3的漏極和所述MOS管M4的漏極接地；

在所述第二電平信號為高電平時，所述電容C1接入所述差分信號電路中進行濾波，以降低電磁輻射；在所述第三電平信號為高電平時，所述電容C2接入所述差分信號電路中進行濾波，以降低電磁輻射。