[發(fā)明專利]薄膜晶體管、其制作方法、顯示面板及電子設(shè)備

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• 申請日: 2020-11-28
• 公開（公告）號: CN114582963A
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 莊瓊陽;張志江;林俊儀
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市柔宇科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：溝道層、源極及漏極；所述源極和漏極中的至少一個包括依次層疊設(shè)置的第一導(dǎo)電部、第二導(dǎo)電部及第三導(dǎo)電部，所述第一導(dǎo)電部相較于所述第二導(dǎo)電部及所述第三導(dǎo)電部靠近所述溝道層設(shè)置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第三導(dǎo)電部包括疊設(shè)于所述第二導(dǎo)電部背離所述溝道層的表面的層疊部及連接于所述層疊部并且覆蓋所述第二導(dǎo)電部的側(cè)面和所述第一導(dǎo)電部的側(cè)面的密封部，以將所述第一導(dǎo)電部和所述第二導(dǎo)電部密封在所述第三導(dǎo)電部和所述溝道層圍合的空間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括設(shè)置于溝道層背離所述第一導(dǎo)電部的一側(cè)的柵極絕緣層；所述柵極絕緣層包括第一部、及依次環(huán)繞所述第一部周緣設(shè)置的第二部及第三部；所述溝道層包括相連的第四部及第五部；所述溝道層覆蓋所述柵極絕緣層的第一部；所述第一導(dǎo)電部覆蓋所述溝道層的第四部以及所述柵極絕緣層的第二部；所述第二導(dǎo)電部覆蓋所述第一導(dǎo)電部背離所述溝道層的表面；所述第三導(dǎo)電部覆蓋所述第二導(dǎo)電部背離所述溝道層的表面及側(cè)面、第一導(dǎo)電部側(cè)面、溝道層的第五部以及所述柵極絕緣層的第三部。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一導(dǎo)電部的化學(xué)活性強于所述第二導(dǎo)電部的化學(xué)活性，所述第三導(dǎo)電部的化學(xué)活性強于所述第二導(dǎo)電部的化學(xué)活性。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一導(dǎo)電部的厚度為20nm至30nm；所述第二導(dǎo)電部的厚度為350nm至400nm；所述第三導(dǎo)電部的厚度為20nm至30nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括柵極，所述柵極設(shè)在所述柵極絕緣層背離所述溝道層的一側(cè)，與所述溝道層對應(yīng)設(shè)置。

7.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在基底的一側(cè)形成溝道層；

在所述溝道層背離基底的表面依次形成第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層；

將所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層進行刻蝕，以在溝道層的一側(cè)表面形成中間態(tài)源極及中間態(tài)漏極，其中，所述中間態(tài)源極或所述中間態(tài)柵極包括依次層疊設(shè)置于溝道層表面的第一導(dǎo)電部及第二導(dǎo)電部；

在所述中間態(tài)源極、中間態(tài)漏極、溝道層的表面覆蓋第三導(dǎo)電層，以使第三導(dǎo)電層密封中間態(tài)源極、中間態(tài)漏極及溝道層；以及

第三導(dǎo)電層進行刻蝕，形成間隔設(shè)置于溝道層同一側(cè)，且分別與溝道層電連接的源極和漏極，其中，所述源極和漏極中的至少一個包括依次層疊設(shè)置的第一導(dǎo)電部、第二導(dǎo)電部及第三導(dǎo)電部。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第三導(dǎo)電部包括疊設(shè)于所述第二導(dǎo)電部背離所述溝道層的表面的層疊部及連接于所述層疊部并且覆蓋所述第二導(dǎo)電部的側(cè)面和所述第一導(dǎo)電部的側(cè)面的密封部，以將所述第二導(dǎo)電部密封在所述第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo)電部圍合的空間。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一導(dǎo)電部的化學(xué)活性強于所述第二導(dǎo)電部的化學(xué)活性，所述第三導(dǎo)電部的化學(xué)活性強于所述第二導(dǎo)電部的化學(xué)活性。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一導(dǎo)電部的厚度為20nm至30nm；所述第二導(dǎo)電部的厚度為350nm至400nm；所述第三導(dǎo)電部的厚度為20nm至30nm。

11.一種顯示面板，其特征在于，包括多個權(quán)利要求1-10任一項所述的薄膜晶體管，所述多個薄膜晶體管呈陣列排布。

12.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括設(shè)備主體及權(quán)利要求11所述的顯示面板，所述顯示面板設(shè)在所述設(shè)備主體上，為所述電子設(shè)備提供顯示界面。