[發(fā)明專(zhuān)利]RRAM Cell stack TaOx制作方法和結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011362522.8
• 申請(qǐng)日: 2020-11-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112599665A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐靈芝;張志剛
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L45/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L45/00
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 焦天雷

1.一種RRAM Cell stack TaOx制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1，在MxVx層形成RRAM Cell stack的下層TiN，第一次淀積預(yù)設(shè)厚度T的Ta；

S2，在第一預(yù)設(shè)條件下形成未完全氧化的漸變TaOx層；

S3，在第二預(yù)設(shè)條件下形成過(guò)氧化Ta層；

S4，再次淀積Ta和TiN，通過(guò)光刻工藝和刻蝕工藝形成RRAM Cell Stack結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的RRAM Cell stack TaOx制作方法，其特征在于：

步驟S1中，采用PVD工藝第一次淀積預(yù)設(shè)厚度T的Ta。

3.如權(quán)利要求1所述的RRAM Cell stack TaOx制作方法，其特征在于：

步驟S2和S3，均采用CVD工藝。

4.如權(quán)利要求1所述的RRAM Cell stack TaOx制作方法，其特征在于：

步驟S2采用N20形成未完全氧化的漸變TaOx層，未完全氧化的漸變TaOx層的x＜5/2。

5.如權(quán)利要求4所述的RRAM Cell stack TaOx制作方法，其特征在于，第一預(yù)設(shè)條件包括：

CVD能量為100W-200W，N20流量為1000sccm-3000sccm。

6.如權(quán)利要求1所述的RRAM Cell stack TaOx制作方法，其特征在于：

步驟S3采用N20形成過(guò)氧化Ta層。

7.如權(quán)利要求6所述的RRAM Cell stack TaOx制作方法，其特征在于：過(guò)氧化Ta層是Ta2O5層。

8.如權(quán)利要求6所述的RRAM Cell stack TaOx制作方法，其特征在于，第二預(yù)設(shè)條件包括：

CVD能量為400W-500W，N20流量為3000sccm-5000sccm。

9.一種RRAM Cell stack TaOx結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

自上而下順序形成的第一TiN層、過(guò)氧化Ta層、未完全氧化的漸變TaOx層和第二TiN層；

其中，過(guò)氧化Ta層是Ta2O5，未完全氧化的漸變TaOx層的x＜5/2。