[發明專利]一種多段位寬調諧范圍的LC振蕩器

在審

• 申請號: 202011361581.3
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN112491362A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 蘇杰;朱勇;徐祎喆
• 申請（專利權）人: 北京百瑞互聯技術有限公司
• 主分類號: H03B5/12
• 分類號: H03B5/12
• 代理公司: 北京國科程知識產權代理事務所(普通合伙) 11862
• 代理人: 曹曉斐

1.一種多段位寬調諧范圍的LC振蕩器，其特征在于，包括：

可變電容模塊，其包括第一壓控輸出電壓端、第一隔直電容、第一可變電容、第二壓控輸出電壓端、第二隔直電容、第二可變電容、偏置電壓端、第一偏置電阻、第二偏置電阻以及控制電壓端，其中所述第一壓控輸出電壓端經所述第一隔直電容連接所述第一可變電容，所述第二壓控輸出電壓端經所述第二隔直電容連接所述第二可變電容，所述偏置電壓端與所述第一偏置電阻的一端和所述第二偏置電阻的一端連接，所述控制電壓端與所述第一可變電容的一端和所述第二可變電容的一端連接；

權位電容模塊，其包括多組開關電容陣列，其中一組開關電容陣列包括第一權位電容、第二權位電容、第一負載電阻、第二負載電阻、第一反相器、第二反相器、第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管以及第四晶體管，其中，所述第一晶體管與第三晶體管為同類型的晶體管，第二晶體管與第四晶體管為與所述第一晶體管互補類型的晶體管，電路端子連接所述第一晶體管和所述第三晶體管的柵極，所述電路端子經所述第一反相器和所述第二反相器分別連接所述第二晶體管和所述第四晶體管的柵極，所述第一壓控輸出電壓端經所述第一權位電容連接所述第一晶體管的漏極，所述第二晶體管的漏極經所述第一負載電阻連接所述第一晶體管的漏極，所述第二壓控輸出電壓端經所述第二權位電容連接所述第三晶體管的漏極，所述第四晶體管的漏極經所述第二負載電阻連接所述第三晶體管的漏極。

2.如權利要求1所述的多段位寬調諧范圍的LC振蕩器，其特征在于，所述第一晶體管和所述第三晶體管為NMOS晶體管，所述第一晶體管與所述第三晶體管的源極接地。

3.如權利要求1所述的多段位寬調諧范圍的LC振蕩器，其特征在于，所述第二晶體管和所述第四晶體管為PMOS晶體管，所述第二晶體管與所述第四晶體管的源極接外部電源。

4.如權利要求1所述的多段位寬調諧范圍的LC振蕩器，其特征在于，通過所述第一偏置電阻提供的電壓偏置控制所述第一可變電容的電容值，使得所述第一可變電容的電容值在第一電容線性變化范圍；以及

通過所述第二偏置電阻提供的電壓偏置控制所述第二可變電容的電容值，使得所述第二可變電容的電容值在第二電容線性變化范圍。

5.如權利要求1所述的多段位寬調諧范圍的LC振蕩器，其特征在于，將所述第一晶體管和所述第二晶體管的寄生電容值均不大于一定比例的所述第一權位電容值時的所述第一晶體管和所述第二晶體管的導通電阻值分別確定為所述第一晶體管和所述第二晶體管的工作導通電阻值。

6.如權利要求1所述的多段位寬調諧范圍的LC振蕩器，其特征在于，將所述第三晶體管和所述第四晶體管的寄生電容值均不大于一定比例的所述第二權位電容值時的所述第三晶體管和所述第四晶體管的導通電阻值分別確定為所述第三晶體管和所述第四晶體管的工作導通電阻值。

7.如權利要求1所述的多段位寬調諧范圍的LC振蕩器，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管的關斷電阻值分別大于第一預設閾值，使得當所述第一晶體管和所述第二晶體管斷開時，所述第一晶體管和所述第二晶體管的工作狀態不受所述第一權位電容兩端電壓的影響；以及

所述第三晶體管和所述第四晶體管的關斷電阻值分別大于第二預設閾值，使得當所述第三晶體管和所述第四晶體管斷開時，所述第三晶體管和所述第四晶體管的工作狀態不受所述第二權位電容兩端電壓的影響。

8.如權利要求1所述的多段位寬調諧范圍的LC振蕩器，其特征在于，按照預設比例的順序依次改變所述多組開關電容陣列中的權位電容值，其中，所述預設比例包括冪次方比例。

9.如權利要求1所述的多段位寬調諧范圍的LC振蕩器，其特征在于，

第一信號源的一端經過分壓電阻后連接所述第一壓控輸出電壓端，所述第一信號源的另一端直接連接所述第二壓控輸出電壓端。

10.如權利要求1所述的多段位寬調諧范圍的LC振蕩器，其特征在于，第二信號源提供所述控制電壓端的電壓，第三信號源提供所述偏置電壓端的電壓。