[發明專利]一種半導體激光發射器在審
| 申請號： | 202011361135.2 | 申請日： | 2020-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN112490846A | 公開（公告）日： | 2021-03-12 |
| 發明（設計）人： | 雷述宇 | 申請（專利權）人： | 寧波飛芯電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/042 | 分類號： | H01S5/042;H01S5/183 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 315500 浙江省寧*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 激光 發射器 | ||
1.一種半導體激光發射器，其特征在于，包含：第一DBR層，第二DBR層，配置于所述第一DBR層與所述第二DBR層之間的量子阱有源區，所述第二DBR層還連接襯底層，所述襯底層具有第一厚度，所述襯底遠離所述量子阱有源區的一側包含激發所述量子阱有源區的第一電極和第二電極。
2.根據權利要求1所述的半導體激光發射器，其特征在于，所述第一DBR層為P型摻雜，所述第二DBR層為N型摻雜，所述第一電極與所述第一DBR層相連接，所述第二電極與所述第二DBR層相連接。
3.根據權利要求1所述的半導體激光發射器，其特征在于，所述第一電極包含穿透所述襯底的導電連接部，并通過所述導電連接部與所述第一DBR層相連接。
4.根據權利要求1所述的半導體激光發射器，其特征在于，所述導電連接部包含位于TSV工藝形成的襯底貫穿部的導電連接部。
5.根據權利要求4所述的半導體激光發射器，其特征在于，所述半導體有源區與所述的貫穿部在半導體基板上穿插布置。
6.根據權利要求4所述的半導體激光發射器，其特征在于，所述貫穿部在半導體基板上布置于所述半導體有源區范圍外的獨立區域內。
7.根據權利要求4所述的半導體激光發射器，其特征在于，所述貫穿部與所述導電連接部之間還包含絕緣介質部。
8.根據權利要求4所述的半導體激光發射器，其特征在于，所述貫穿部是由兩個方向的兩次刻蝕而形成的。
9.根據權利要求4或8所述的半導體激光發射器，其特征在于，所述貫穿部具有第一傾角范圍內的傾斜部。
10.根據權利要求9所述的半導體激光發射器，其特征在于，所述第一傾角范圍為75°-90°。
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