[發明專利]光電傳感器

在審

• 申請號: 202011359459.2
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN112466899A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 周正三;黃振昌;范成至
• 申請（專利權）人: 神盾股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 宋興;劉芳

1.一種光電傳感器，其特征在于，包括：

基板；以及

多個像素結構，配置于所述基板上，且排成陣列，每一像素結構包括：

晶體管；以及

光電二極管，包括：

第一電極，與所述晶體管呈側向并排；

感光層，其中所述感光層的第一部分配置于所述第一電極上，且所述感光層的第二部分從所述第一部分延伸至所述晶體管上方；以及

第二電極，配置于所述感光層上，且位于所述第一電極與所述晶體管上方。

2.根據權利要求1所述的光電傳感器，其特征在于，所述感光層及所述第二電極覆蓋所述晶體管。

3.根據權利要求2所述的光電傳感器，其特征在于，所述第二電極也覆蓋所述第一電極。

4.根據權利要求1所述的光電傳感器，其特征在于，每一像素結構還包括絕緣層，配置于所述感光層的所述第二部分與所述晶體管之間。

5.根據權利要求1所述的光電傳感器，其特征在于，所述感光層為本征半導體層，所述第一電極為P型摻雜半導體層，且所述第二電極為N型摻雜半導體層。

6.根據權利要求1所述的光電傳感器，其特征在于，所述感光層為本征半導體層，所述第一電極為N型摻雜半導體層，且所述第二電極為P型摻雜半導體層。

7.根據權利要求1所述的光電傳感器，其特征在于，所述晶體管為薄膜晶體管。

8.根據權利要求7所述的光電傳感器，其特征在于，所述晶體管具有控制端、第一端及第二端，且所述第二端與所述第一電極為同一半導體層所形成。

9.根據權利要求1所述的光電傳感器，其特征在于，所述第一電極為重摻雜P型多晶硅層，所述感光層為本征非晶硅層，且所述第二電極為重摻雜N型非晶硅層。

10.根據權利要求1所述的光電傳感器，其特征在于，所述基板為玻璃基板、藍寶石基板或半導體基板。