[發明專利]一種微型超級表面貼裝熔斷器及其制造方法

有效

• 申請號: 202011359216.9
• 申請日: 2017-10-30
• 公開（公告）號: CN112309801B
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發明（設計）人: 汪立無;李俊;李向明;楊永林
• 申請（專利權）人: AEM科技（蘇州）股份有限公司
• 主分類號: H01H85/08
• 分類號: H01H85/08;H01H85/06;H01H85/18;H01H85/041;H01H69/02
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 馮尚杰

1.一種微型超級表面貼裝熔斷器，其特征在于，包括：

熔體，所述熔體包括至少一個用于低過載時熔斷的低過載熔斷點及用于高過載時熔斷的高分斷熔斷點，所述高分斷熔斷點至少包括第一熔斷點及第二熔斷點，所述第一熔斷點、所述低過載熔斷點及所述第二熔斷點三者串聯，所述低過載熔斷點的一端與所述第一熔斷點連接，所述低過載熔斷點的另一端與所述第二熔斷點連接；

空腔板，所述空腔板包括開設有第一空腔的第一空腔板和開設有第二空腔的第二空腔板，所述第一空腔及所述第二空腔合圍成腔體，所述低過載熔斷點及所述高分斷熔斷點位于所述腔體內；

基板，所述基板包括分別疊置在所述空腔板的上方和下方的上基板及下基板；

端電極，所述端電極設置在所述基板和/或所述空腔板上，所述端電極與所述熔體電連接；

填料，所述填料充填于所述第一空腔及所述第二空腔中。

2.根據權利要求1所述的表面貼裝熔斷器，其特征在于：所述熔體為高熔點導電金屬材料制成，所述低過載熔斷點的表面包覆低熔點金屬層。

3.根據權利要求1所述的微型超級表面貼裝熔斷器，其特征在于：所述熔體還包括連接所述低過載熔斷點及所述高分斷熔斷點的連接部，所述高分斷熔斷點的橫截面積小于所述連接部的橫截面積。

4.根據權利要求3所述的微型超級表面貼裝熔斷器，其特征在于：所述熔體的長度方向的兩端分別設有第一端部及第二端部，所述第一熔斷點距離所述第一端部的距離為所述第一端部及所述第二端部之間的距離的五分之一到三分之一，所述第二熔斷點距離所述第二端部的距離為所述第一端部及所述第二端部之間的距離的五分之一到三分之一。

5.根據權利要求1所述的微型超級表面貼裝熔斷器，其特征在于：所述表面貼裝熔斷器還包括熔體板，所述熔體板位于所述第一空腔板及所述第二空腔板之間，所述熔體板朝向所述第一空腔及所述第二空腔的面上分別貼合有所述熔體。

6.根據權利要求1所述的微型超級表面貼裝熔斷器，其特征在于：所述上基板、所述第一空腔板、所述熔體、所述第二空腔板及所述下基板從上到下依次通過粘合材料壓合，所述粘合材料構成多個膠層，其中，所述上基板、所述第一空腔板、所述熔體、所述第二空腔板及所述下基板之間依次為上膠層、中上膠層、中下膠層及下膠層，所述第一空腔的上段及所述第二空腔的下段分別充填有所述上膠層及所述下膠層。

7.根據權利要求6所述的微型超級表面貼裝熔斷器，其特征在于：所述中上膠層及所述中下膠層在所述腔體的對應位置鏤空或填滿所述粘合材料。

8.一種微型超級表面貼裝熔斷器的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

S1，制造熔體：金屬片通過蝕刻、沖銑或沖壓的機械方式加工而成熔體，所述熔體上形成至少兩處收窄區域作為高分斷熔斷點；在所述熔體的中間處電鍍錫層制成低過載熔斷點；

S2，制造基板：對覆銅電路板腐蝕去銅箔制成包括上基板及下基板的基板，所述基板上設有端電極；

S3，制造空腔板：在絕緣板上通過銑或沖壓方式形成空腔制成具有第一空腔的第一空腔板及具有第二空腔的第二空腔板；

S4，粘合空腔板及熔體：將所述第一空腔板、熔體及所述第二空腔板依次通過純膠膜預粘合，所述高分斷熔斷點及所述低過載熔斷點位于所述第一空腔及所述第二空腔圍成的腔體內；

S5，充填第一空腔板：在所述第一空腔中充填填料，利用純膠膜將所述上基板與所述第一空腔板預粘合；

S6，充填第二空腔板：在所述第二空腔中充填填料，利用純膠膜將所述下基板與所述第二空腔板預粘合，制成預成品；

S7，熱壓壓合：在熱壓機中將所述預成品壓合；

S8，電鍍切割：在所述基板上銑長槽，所述長槽至少延伸至所述下基板，將所述長槽的內壁電鍍銅層，制成單個表面貼裝熔斷器。