[發明專利]半導體刻蝕方法在審
| 申請號： | 202011358152.0 | 申請日： | 2020-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN112530780A | 公開（公告）日： | 2021-03-19 |
| 發明（設計）人： | 劉珂;王京;何艷 | 申請（專利權）人： | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H01L21/67;B08B7/00 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 刻蝕 方法 | ||
1.一種半導體刻蝕方法，其特征在于，包括：
刻蝕步驟，對半導體刻蝕設備工藝腔室中的待加工件進行刻蝕；
清潔步驟，清除所述工藝腔室中的刻蝕產物；
交替執行所述刻蝕步驟和所述清潔步驟；
其中，所述清潔步驟包括：
清除所述工藝腔室內部件表面剩余的保護層；
清除所述工藝腔室中的所述刻蝕產物；
對所述工藝腔室進行吹掃；
在所述部件表面沉積所述保護層。
2.根據權利要求1所述的半導體刻蝕方法，其特征在于，所述在所述部件表面沉積所述保護層，包括：
向所述工藝腔室中通入沉積氣體；
將所述沉積氣體電離為等離子體，以在所述部件表面沉積所述保護層。
3.根據權利要求2所述的半導體刻蝕方法，其特征在于，所述沉積氣體包括四氯化硅、氮氣、一氧化碳、氧氣中的一種或多種。
4.根據權利要求1-3任一項所述的半導體刻蝕方法，其特征在于，所述部件包括介質窗，沉積在所述介質窗上的所述保護層的厚度沿所述介質窗中心向邊緣的方向逐漸增大。
5.根據權利要求4所述的半導體刻蝕方法，其特征在于，所述清除所述工藝腔室內部件表面剩余的保護層，包括：
向所述工藝腔室中通入第一刻蝕氣體；
將所述第一刻蝕氣體電離為等離子體，以清除所述部件表面剩余的所述保護層。
6.根據權利要求5所述的半導體刻蝕方法，其特征在于，所述第一刻蝕氣體包括六氟化硫、三氟化氮、四氟化碳、氯氣中的一種或多種。
7.根據權利要求4所述的半導體刻蝕方法，其特征在于，所述清除所述工藝腔室中的所述刻蝕產物，包括：
向所述工藝腔室中通入第二刻蝕氣體；
將所述第二刻蝕氣體形電離成離子體，以清除所述工藝腔室中的所述刻蝕產物。
8.根據權利要求7所述的半導體刻蝕方法，其特征在于，所述第二刻蝕氣體包括氧氣、六氟化硫、三氟化氮、四氟化碳、氯氣中的一種或多種的混合氣體。
9.根據權利要求4所述的半導體刻蝕方法，其特征在于，所述對所述工藝腔室進行吹掃：
向所述工藝腔室中通入吹掃氣體。
10.根據權利要求9所述的半導體刻蝕方法，其特征在于，所述吹掃氣體包括惰性氣體。
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