[發明專利]一種測試組件及測試方法

在審

• 申請號: 202011358071.0
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN112466772A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 朱曉娟
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 高天華;張穎玲

本發明實施例公開了一種測試組件及其測試方法。所述測試組件包括：基底，以及位于所述基底上的第一測試結構和第二測試結構；所述第一測試結構包括第一待測器件，所述第一待測器件包括第一柵介質層以及位于所述第一柵介質層上的第一柵極層；所述第二測試結構包括第二待測器件、第一熔絲和二極管；所述第二待測器件包括第二柵介質層以及位于所述第二柵介質層上的第二柵極層；所述二極管導電連接于所述第二柵極層與所述基底之間，所述第一熔絲導電連接于所述第二柵極層與所述二極管之間；其中，所述第一待測器件和所述第二待測器件具有在同樣的工藝條件下制備得到的相同結構。

技術領域

本發明屬于半導體領域，具體涉及一種測試組件及測試方法。

背景技術

在芯片制程中，有很多工藝步驟會用到等離子體，等離子體是正負離子、電子的混合體。當存在電壓不平衡狀態時，會有電流通過金屬傳導至柵介質，對柵介質造成損傷。

傳統對柵介質進行可靠性評估時，所有影響柵介質可靠性的工藝因素都混合在一起，無法確切的獲知等離子體對柵介質可靠性的影響。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例為解決背景技術中存在的至少一個問題而提供一種測試結構及其測試方法。

為了達到上述目的，本發明的技術方案是這樣實現的：

本發明實施例提供了一種測試組件，包括：基底，以及位于所述基底上的第一測試結構和第二測試結構；

所述第一測試結構包括第一待測器件，所述第一待測器件包括第一柵介質層以及位于所述第一柵介質層上的第一柵極層；

所述第二測試結構包括第二待測器件、第一熔絲和二極管；所述第二待測器件包括第二柵介質層以及位于所述第二柵介質層上的第二柵極層；所述二極管導電連接于所述第二柵極層與所述基底之間，所述第一熔絲導電連接于所述第二柵極層與所述二極管之間；

其中，所述第一待測器件和所述第二待測器件具有在同樣的工藝條件下制備得到的相同結構。

上述方案中，還包括：第三測試結構；所述第三測試結構包括第二熔絲，所述第二熔絲與所述第一熔絲具有在同樣的工藝條件下制備得到的相同結構。

上述方案中，所述第一熔絲和所述第二熔絲均包括電子熔絲。

上述方案中，所述第一熔絲的材料包括多晶硅。

上述方案中，所述第一柵極層和所述第二柵極層的材料均包括：金屬或多晶硅。

上述方案中，所述測試組件用于確定在所述同樣的工藝條件下等離子體損傷對所述第一柵介質層可靠性的影響。

本發明實施例還提供了一種測試方法，所述方法包括：

提供一測試組件，所述測試組件為上述任一實施例所述的測試組件；

將所述第一熔絲熔斷；

對所述第一待測器件和所述第二待測器件分別進行同樣條件的柵介質可靠性測試，以獲得相應的第一測試結果和第二測試結果；

基于所述第一測試結果和所述第二測試結果，確定在所述同樣的工藝條件下等離子體損傷對所述第一柵介質層可靠性的影響。

上述方案中，所述測試組件還包括一第三測試結構，所述第三測試結構包括第二熔絲，所述第二熔絲與所述第一熔絲具有在同樣的工藝條件下制備得到的相同結構；

在將所述第一熔絲熔斷之前，所述方法還包括：在所述第二熔絲上施加脈沖電流，將所述第二熔絲結構達到熔斷狀態時施加的脈沖電流的大小和寬度確定為所述第一熔絲的熔斷條件；

所述將所述第一熔絲熔斷，包括：基于確定的所述熔斷條件，將所述第一熔絲結構熔斷。