[發明專利]多光譜成像結構、方法、芯片、攝像頭模組和電子設備有效
| 申請號: | 202011356850.7 | 申請日: | 2020-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN112490256B | 公開(公告)日: | 2023-08-22 |
| 發明(設計)人: | 成通 | 申請(專利權)人: | 維沃移動通信有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;胡影 |
| 地址: | 523863 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光譜 成像 結構 方法 芯片 攝像頭 模組 電子設備 | ||
1.一種多光譜成像結構,其特征在于,包括:
微透鏡;
感光器件,所述感光器件與所述微透鏡正對設置,用于將接收的光信號轉換為電信號;
位于所述微透鏡和所述感光器件之間的第一可調諧光學濾波器和第二可調諧光學濾波器,所述第一可調諧光學濾波器和所述第二可調諧光學濾波器的諧振腔的腔長均可調;
位于所述第一可調諧光學濾波器和所述感光器件之間的第一濾光器和位于所述第二可調諧光學濾波器和所述感光器件之間的第二濾光器,所述第一濾光器和所述第二濾光器透過的光的波長不同;
所述第一可調諧光學濾波器和所述第二可調諧光學濾波器均可通過逐級調節各自的諧振腔的腔長以透過n種光,其中,第i種光的波長為λi,i≤n,i和n均為正整數,波長由λ1至λn逐漸增長;所述第一濾光器可透過波長為λx的光,0<x≤n,且x為奇數,所述第二濾光器可透過波長為λy的光,0<y≤n,且y為偶數。
2.根據權利要求1所述的多光譜成像結構,其特征在于,所述感光器件為光敏二極管。
3.根據權利要求1所述的多光譜成像結構,其特征在于,所述第一可調諧光學濾波器和所述第二可調諧光學濾波器均包括第一反光板、第二反光板、位于所述第一反光板和所述第二反光板之間的諧振腔以及電極,所述電極用于調節所述第一反光板和所述第二反光板之間的距離,以改變所述諧振腔的腔長。
4.根據權利要求1所述的多光譜成像結構,其特征在于,所述第一可調諧光學濾波器和所述第二可調諧光學濾波器同一平面設置,所述第一濾光器和所述第二濾光器同一平面設置。
5.一種多光譜成像方法,其特征在于,應用于如權利要求1~4中任一項所述的多光譜成像結構,所述方法包括:
逐級調節第一可調諧光學濾波器和第二可調諧光學濾波器的腔長,使所述第一可調諧光學濾波器和所述第二可調諧光學濾波器均逐次透過對應波長的光,并逐次對應傳輸至第一濾光器和第二濾光器,其中,透過的第i種光的波長為λi,共有n種光,i≤n,i和n均為正整數,波長由λ1至λn逐漸增長;
所述第一濾光器依次透過波長為λx的光,0<x≤n,且x為奇數,所述第二濾光器依次透過波長為λy的光,0<y≤n,且y為偶數,使得感光器件在每一掃描周期內僅接收透過所述第一濾光器或所述第二濾光器的光。
6.一種多光譜成像芯片,其特征在于,包括如權利要求1~4中任一項所述的多光譜成像結構。
7.根據權利要求6所述的多光譜成像芯片,其特征在于,還包括:
像素感光電路,所述像素感光電路設置于襯底基板上,所述多光譜成像結構位于所述像素感光電路的遠離襯底基板的一側,所述像素感光電路與感光器件連接。
8.一種攝像頭模組,其特征在于,包括如權利要求1~4中任一項所述的多光譜成像結構。
9.一種電子設備,其特征在于,包括如權利要求8所述的攝像頭模組。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





