[發(fā)明專利]多段溫控方法、多段加熱設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)

在審

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• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN112471601A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 瞿江洪;錢軼霆;蔡吉俊;張文良;王嘉俊;金圣毅
• 申請（專利權(quán)）人: 上海煙草集團(tuán)有限責(zé)任公司;上海新型煙草制品研究院有限公司
• 主分類號: A24F40/40
• 分類號: A24F40/40;A24F40/46;A24F40/50;A24F40/20;A24F40/57;A24D1/20;A24D3/17
• 代理公司: 上海華誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31300
• 代理人: 徐穎聰

1.一種多段溫控方法，其特征在于，用于控制多段加熱設(shè)備的加熱過程，所述多段加熱設(shè)備包括加熱腔及多個(gè)加熱元件，所述多個(gè)加熱元件沿加熱腔的軸向從上到下依次設(shè)置，最上端的加熱元件為第一加熱元件，所述溫控方法包括：

每個(gè)加熱元件的加熱過程獨(dú)立地包括三個(gè)階段，在第一階段，加熱元件從初始溫度升溫至第一目標(biāo)溫度；在第二階段，加熱元件維持該第一目標(biāo)溫度；在第三階段，加熱元件從第一目標(biāo)溫度降溫至第二目標(biāo)溫度，

其中，任何一個(gè)在下方的加熱元件第二階段開始的時(shí)間要晚于在其上方的加熱元件第二階段開始的時(shí)間，任何一個(gè)在下方的加熱元件第二階段結(jié)束的時(shí)間也晚于在其上方的加熱元件第二階段結(jié)束的時(shí)間，

并且第一加熱元件的第一目標(biāo)溫度要小于其他加熱元件的第一目標(biāo)溫度。

2.如權(quán)利要求1所述的多段溫控方法，其特征在于，任何一個(gè)在下方的加熱元件的第二階段是在其相鄰的上方的加熱元件的第二階段結(jié)束后開始。

3.如權(quán)利要求1所述的多段溫控方法，其特征在于，除所述第一加熱元件以外的其他加熱元件，第一階段中包括兩個(gè)升溫過程，在第一個(gè)升溫過程中，先升溫至預(yù)熱溫度，待其相鄰的上方的加熱元件第二階段結(jié)束后，開始第二個(gè)升溫過程，從預(yù)熱溫度升溫至第一目標(biāo)溫度。

4.如權(quán)利要求1所述的多段溫控方法，其特征在于，除沿加熱腔軸向最下端的加熱元件外，其他加熱元件的加熱過程還包括第四階段，在第四階段中，所述加熱元件的溫度維持在第二目標(biāo)溫度。

5.如權(quán)利要求4所述的多段溫控方法，其特征在于，除沿加熱腔軸向最下端的加熱元件外，任何一個(gè)在下方的加熱元件的第二目標(biāo)溫度大于在其上方的加熱元件的第二目標(biāo)溫度。

6.如權(quán)利要求1所述的多段溫控方法，其特征在于，所述多個(gè)加熱元件為4個(gè)。

7.一種多段加熱設(shè)備，其特征在于，包括：

加熱腔；

多個(gè)加熱元件，所述多個(gè)加熱元件沿加熱腔的軸向從上到下依次設(shè)置，最上端的加熱元件為第一加熱元件；

溫控電路，用于根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的溫控方法控制所述多段加熱設(shè)備的加熱過程。

8.如權(quán)利要求7所述的多段加熱設(shè)備，其特征在于，所述加熱元件為加熱膜。

9.如權(quán)利要求7所述的多段加熱設(shè)備，其特征在于，還包括導(dǎo)熱管，所述導(dǎo)熱管內(nèi)形成所述加熱腔，所述多個(gè)加熱元件環(huán)繞在所述導(dǎo)熱管外壁上。

10.如權(quán)利要求9所述的多段加熱設(shè)備，其特征在于，還包括吸嘴，所述吸嘴設(shè)置在靠近所述第一加熱元件的一端，所述導(dǎo)熱管下端形成開口，用于供煙草制品插入。

11.如權(quán)利要求10所述的多段加熱設(shè)備，其特征在于，所述導(dǎo)熱管下端從所述多個(gè)加熱元件中伸出，形成有延伸段。

12.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，包括：

儲存在其中的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令，當(dāng)處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令時(shí)，控制多段加熱設(shè)備實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的溫控方法。