[發明專利]硒化鎘類單晶薄膜制備方法、太陽能電池制備方法及產物

有效

• 申請號: 202011355151.0
• 申請日: 2020-11-26
• 公開（公告）號: CN112490298B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 唐江;李康華;陳超;牛廣達;林雪甜;盧岳;楊許可
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0296;H01L31/18
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 李智

1.一種太陽能電池制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

（T1）將導電基底加熱至第一預設溫度并維持第一預設時間；以硒化鎘粉末為蒸發源，將所述蒸發源加熱至第二預設溫度后，利用快速熱蒸發法在所述導電基底上沉積得到晶體取向單一的硒化鎘薄膜，活化其中的硒化鎘薄膜；所述第二預設溫度為800~850 ℃，所述第一預設時間不少于15min；

（T2）在所述硒化鎘薄膜的表面旋涂一層高分子空穴收集層；

（T3）在所述高分子空穴收集層的表面旋涂一層Cu基空穴收集層；

（T4）在所述Cu基空穴收集層的表面沉積頂電極，從而完成所述太陽能電池的制備；

其中，所述第一預設溫度為300~450°C，且利用快速熱蒸發法在所述導電基底上沉積硒化鎘薄膜的蒸發時間為50~100s，制備過程中，氣壓不高于1Pa；

或者，所述第一預設溫度為0~300 ℃。

2.如權利要求1所述的太陽能電池制備方法，其特征在于，所述高分子空穴收集層的材料為PEDOT:PSS或P3HT，所述Cu基空穴收集層的材料為CuI、Cu₂O或CuSCN，所述頂電極的材料為Au或ITO。

3.如權利要求1或2所述的太陽能電池制備方法制備得到的太陽能電池。