[發明專利]晶圓的切割方法有效
| 申請號: | 202011355128.1 | 申請日: | 2020-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN112447591B | 公開(公告)日: | 2022-06-07 |
| 發明(設計)人: | 肖酉;蘇亞青;譚秀文 | 申請(專利權)人: | 華虹半導體(無錫)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦健 |
| 地址: | 214028 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 切割 方法 | ||
1.一種晶圓的切割方法,其特征在于:在切割單元對晶圓進行環切時,在晶圓下方設置熱感模塊,熱感模塊與切割頭在晶圓兩面分別放置;熱感模塊在切割時,能實時感應到切割過程中切割區域的溫度的變化,并將溫度信號傳輸給信號處理單元,信號處理單元將溫度信號傳送至數據處理單元,數據處理單元通過反饋信號回路對切割頭進行控制,精確控制切割量。
2.如權利要求1所述的晶圓的切割方法,其特征在于:所述的切割頭在對晶圓進行切割時,由于切割時間及切割量的不同,導致切割點的溫度發生變化,在切割過程中溫度會不斷上升,而當將晶圓切透時,溫度會出現突變,因此基于對切割區域的溫度監控來抓取切割的停止點。
3.如權利要求1所述的晶圓的切割方法,其特征在于:所述的熱感模塊的數量為1~10個。
4.如權利要求1所述的晶圓的切割方法,其特征在于:在晶圓吸附于切割臺面上之后,所述的熱感模塊安裝在晶圓半徑130~150mm區域的正下方位置。
5.如權利要求1所述的晶圓的切割方法,其特征在于:所述的熱感模塊將晶圓切割過程中的溫度信息經信號處理單元傳輸到數據處理單元,數據處理單元內置一個閾值,當晶圓切割位置的溫度達到所述閾值時,數據處理單元通過反饋信號電路對切割頭的切割狀態進行調整。
6.如權利要求5所述的晶圓的切割方法,其特征在于:通過所述的反饋信號電路,實現熱感模塊與切割頭之間的反饋與聯動。
7.如權利要求5所述的晶圓的切割方法,其特征在于:根據晶圓切割區域切透前與切透后的溫度的突變,及時偵測到切透的時間點,達到對激光環切工藝的精確控制。
8.如權利要求1所述的晶圓的切割方法,其特征在于:所述的晶圓為適用于TAIKO減薄工藝的晶圓,所述晶圓厚度在20~250um之間。
9.如權利要求1所述的晶圓的切割方法,其特征在于:所述的熱感模塊為溫度探頭。
10.如權利要求9所述的晶圓的切割方法,其特征在于:所述溫度探頭為紅外溫度探頭或者熱敏溫度探頭。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





