[發明專利]一種助熔劑倒提拉晶體生長的方法在審
| 申請號： | 202011354513.4 | 申請日： | 2020-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN112410869A | 公開（公告）日： | 2021-02-26 |
| 發明（設計）人： | 王坤鵬;張建秀;劉泳;任衍彪;李鳳麗;徐本燕;朱雨鳳 | 申請（專利權）人： | 棗莊學院 |
| 主分類號： | C30B13/02 | 分類號： | C30B13/02;C30B29/14;C30B29/30 |
| 代理公司： | 棗莊小度智慧知識產權代理事務所(普通合伙) 37282 | 代理人： | 鄭素娟 |
| 地址： | 277100 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 熔劑 倒提拉 晶體生長 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種助熔劑倒提拉晶體生長的方法，其特征在于，包括如下步驟：
1）制備含有助熔劑的多晶料棒；
2）在光學浮區爐中，以高于正常生長速度約30-60%的速度，快速進行預生長；
3）快速預生長即將結束時，即料棒頭部僅剩約0.5-1.2cm時，在溫度和轉速不變的情況下，停止熔區移動約1-3分鐘；
4）將步驟3得到的預生長多晶料棒作為熔體部分，將剩余的料棒頭作為籽晶，開始反向移動熔區，熔區移動的速率降為0.15mm -0.5mm/min，5-9小時后結束晶體生長，即采用光學浮區爐實現了TSSG頂部籽晶法生長的效果，稱之為助熔劑倒提拉法；
5）在步驟2和4所述的兩個完全相反的生長過程中，始終保持固液界面平緩連接，全程不中斷，直至生長過程結束。
2.如權利要求1所述的一種助熔劑倒提拉晶體生長的方法，其特征在于，所述步驟1具體方法如下：將按摩爾比配置的原料在瑪瑙坩堝中充分研磨20-40分鐘后，將混合均勻的原料轉移至陶瓷坩堝中，放入燒結爐中于170-210 oC燒結12-24小時，制作約5-8cm的初始料棒。
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