[發明專利]真空壓力計的壽命提升裝置和方法有效
| 申請號: | 202011354251.1 | 申請日: | 2020-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN112460285B | 公開(公告)日: | 2022-10-28 |
| 發明(設計)人: | 高偉;曾軍;高峰 | 申請(專利權)人: | 華虹半導體(無錫)有限公司 |
| 主分類號: | F16K11/00 | 分類號: | F16K11/00;F16K11/20;F16K37/00;B08B9/032;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四華 |
| 地址: | 214028 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空 壓力計 壽命 提升 裝置 方法 | ||
1.一種真空壓力計的壽命提升裝置,其特征在于,包括:三通閥和控制單元;
所述三通閥的第一接口和抽氣管路的第一接口相連,所述抽氣管路的上游端連接真空工藝腔,所述抽氣管路的下游端連接第一真空泵;
所述三通閥的第二接口連接真空壓力計;
所述三通閥的第三接口連接沖洗氣體;
所述三通閥的第二接口具有常開控制閥,所述三通閥的第三接口具有常關控制閥;
所述控制單元控制所述常開控制閥和所述常關控制閥的工作,包括:
在所述真空工藝腔的生長工藝完成后進行固態生成物清除步驟,在所述固態生成物清除步驟中,所述常開控制閥關閉以及所述常關控制閥打開,在所述常關控制閥打開后所述沖洗氣體從所述三通閥的第三接口流入并從所述三通閥的第一接口流出以將所述生長工藝產生的固態生成物清除出所述三通閥內部區域并被所述抽氣管路抽掉。
2.如權利要求1所述的真空壓力計的壽命提升裝置,其特征在于:所述真空工藝腔包括CVD工藝腔或PVD工藝腔。
3.如權利要求2所述的真空壓力計的壽命提升裝置,其特征在于:所述第一真空泵包括干泵,所述抽氣管路為預抽管路。
4.如權利要求3所述的真空壓力計的壽命提升裝置,其特征在于:在所述抽氣管路的第一接口的上游具有第二接口,渦輪泵設置在所述真空工藝腔和所述抽氣管路的第二接口之間,當所述真空壓力計檢測到所述抽氣管路的壓強低于設定值時,所述渦輪泵開始工作并通過所述渦輪泵抽取所述真空工藝腔。
5.如權利要求2所述的真空壓力計的壽命提升裝置,其特征在于:在所述真空工藝腔空閑時,所述常開控制閥打開以及所述常關控制閥關閉。
6.如權利要求1所述的真空壓力計的壽命提升裝置,其特征在于:所述三通閥的第一接口的直徑大于所述三通閥的第二接口的直徑。
7.如權利要求1所述的真空壓力計的壽命提升裝置,其特征在于:所述沖洗氣體包括氮氣和惰性氣體。
8.如權利要求7所述的真空壓力計的壽命提升裝置,其特征在于:所述沖洗氣體為經過加熱的熱氣體。
9.如權利要求1所述的真空壓力計的壽命提升裝置,其特征在于:所述常開控制閥為常開氣動閥,所述常關控制閥為常關氣動閥。
10.一種真空壓力計的壽命提升方法,其特征在于,包括:
步驟一、通過三通閥將真空壓力計安裝在抽氣管路上,包括:
所述三通閥的第一接口和抽氣管路的第一接口相連,所述抽氣管路的上游端連接真空工藝腔,所述抽氣管路的下游端連接第一真空泵;
所述三通閥的第二接口連接所述真空壓力計;
所述三通閥的第三接口連接沖洗氣體;
所述三通閥的第二接口具有常開控制閥,所述三通閥的第三接口具有常關控制閥;
步驟二、通過控制單元控制所述常開控制閥和所述常關控制閥的工作,包括:
在所述真空工藝腔的生長工藝完成后進行固態生成物清除步驟,在所述固態生成物清除步驟中,所述常開控制閥關閉以及所述常關控制閥打開,在所述常關控制閥打開后所述沖洗氣體從所述三通閥的第三接口流入并從所述三通閥的第一接口流出以將所述生長工藝產生的固態生成物清除出所述三通閥內部區域并被所述抽氣管路抽掉。
11.如權利要求10所述的真空壓力計的壽命提升方法,其特征在于:所述真空工藝腔包括CVD工藝腔或PVD工藝腔;
所述第一真空泵包括干泵,所述抽氣管路為預抽管路。
12.如權利要求11所述的真空壓力計的壽命提升方法,其特征在于:所述真空工藝腔的生長工藝的步驟通過工藝菜單設置,所述生長工藝完成后包括腔體抽取步驟,所述固態生成物清除步驟設置在所述腔體抽取步驟中;
在所述真空工藝腔空閑時,所述常開控制閥打開以及所述常關控制閥關閉。
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