[發明專利]信號電平轉換電路及其實現方法

有效

• 申請號: 202011353760.2
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN112436834B
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: 宋振宇;鄭軒;黃楊程
• 申請（專利權）人: 廣州鴻博微電子技術有限公司
• 主分類號: H03K19/0175
• 分類號: H03K19/0175
• 代理公司: 北京澤方譽航專利代理事務所(普通合伙) 11884
• 代理人: 唐明磊

1.一種信號電平轉換電路，其特征在于，包括：輸入反相器電路、電平轉換電路和輸出反相器電路；

所述電平轉換電路包括第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一信號輸出端和第二信號輸出端；

所述第三PMOS管的源極連接所述第五PMOS管的漏極和所述第四PMOS管的源極，柵極連接所述第一信號輸出端，漏極連接所述第三NMOS管的漏極、所述第四PMOS管的漏極和所述第八PMOS管的柵極；

所述第四PMOS管的柵極連接所述第二信號輸出端；

所述第五PMOS管的源極連接第二電源端，柵極連接所述第六PMOS管的漏極、所述第七PMOS管的漏極、所述第四NMOS管的漏極和所述輸出反相器電路；

所述第六PMOS管的源極連接所述第七PMOS管的源極和所述第八PMOS管的漏極，柵極連接所述第二信號輸出端；

所述第七PMOS管的柵極連接所述第一信號輸出端；

所述第八PMOS管的源極連接第二電源端；

所述第三NMOS管的柵極連接所述輸入反相器電路，源極連接接地端；所述第四NMOS管的柵極連接所述輸入反相器電路，源極連接接地端；

所述第一信號輸出端連接所述輸出反相器電路，所述第二信號輸出端連接所述輸出反相器電路的輸出端，其中，第七PMOS管的溝道寬長比小于第六PMOS管MP6溝道的寬長比，第三NMOS管MN3和第四NMOS管MN4的溝道寬長比大于第五PMOS管MP5和第八PMOS管MP8的溝道寬長比。

2.根據權利要求1所述的信號電平轉換電路，其特征在于，所述輸入反相器電路包括：第一PMOS管和第一NMOS管；

所述第一PMOS管的源極連接第一電源端，柵極連接信號輸入端和所述第一NMOS管的柵極，漏極連接所述第一NMOS管的漏極和所述第四NMOS管的柵極；所述第一NMOS管的源極連接接地端。

3.根據權利要求2所述的信號電平轉換電路，其特征在于，所述輸入反相器電路還包括：第二PMOS管和第二NMOS管；

所述第二PMOS管的源極連接第一電源端，柵極連接所述第一PMOS管的漏極和所述第二NMOS管的柵極，漏極連接所述第二NMOS管的漏極和所述第三NMOS管的柵極；所述第二NMOS管的源極連接接地端。

4.根據權利要求1所述的信號電平轉換電路，其特征在于，所述輸出反相器電路包括：第九PMOS管、第十PMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管；

所述第九PMOS管的源極連接第二電源端，柵極連接所述第五NMOS管的柵極，漏極連接所述第一信號輸出端、所述第五NMOS管的漏極、所述第十PMOS管的柵極和所述第六NMOS管的柵極；所述第五NMOS管的源極連接接地端；所述第十PMOS管的源極連接第二電源端，漏極連接所述第六NMOS管的漏極和所述第二信號輸出端；所述第六NMOS管的源極連接接地端。

5.根據權利要求3所述的信號電平轉換電路，其特征在于，所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第一NMOS管和所述第二NMOS管均采用薄柵氧低壓MOS管。

6.根據權利要求4所述的信號電平轉換電路，其特征在于，所述第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、所述第九和第十PMOS管和所述第五和第六NMOS管均采用厚柵氧高壓MOS管。

7.一種信號電平轉換電路實現方法，基于權利要求1-6任一項所述的信號電平轉換電路，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

若信號輸入端輸入高電平信號，第二信號輸出端輸出高電平信號；

若信號輸入端的輸入信號由高電平信號降為低電平信號時，第二信號輸出端輸出低電平信號；

若信號輸入端的輸入信號由低電平信號升為高電平信號時，第二信號輸出端輸出高電平信號。