[發(fā)明專利]一種基于手性系統(tǒng)的無損單光子探測裝置及方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011353756.6 | 申請日: | 2020-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN112577600A | 公開(公告)日: | 2021-03-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林偉功;由玉;鈕月萍;龔尚慶 | 申請(專利權(quán))人: | 華東理工大學(xué) |
| 主分類號: | G01J1/58 | 分類號: | G01J1/58;G01J9/00 |
| 代理公司: | 上海順華專利代理有限責(zé)任公司 31203 | 代理人: | 李鴻儒 |
| 地址: | 200237 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 手性 系統(tǒng) 無損 光子 探測 裝置 方法 | ||
1.一種基于手性系統(tǒng)的無損單光子探測方法,其特征在于,包括以下步驟:
首先,單光子從第一光纖裝置接收端進入第一光纖裝置中,并近乎無損的將單光子從第一光纖裝置的輸出端耦合到耦合了發(fā)射子的一維手性結(jié)構(gòu)中,在耦合了發(fā)射子的一維手性結(jié)構(gòu)中的發(fā)射子與單光子發(fā)生相互作用,該相互作用結(jié)束后發(fā)射子波函數(shù)狀態(tài)中的基態(tài)幾率幅改變了±π相移,而單光子不被原子吸收,仍然保持原有特性不變,然后,單光子從第二光纖耦合裝置的接收端進入第二光纖耦合裝置中,并近乎無損的從第二光纖耦合裝置的輸出端中透射出來。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于手性系統(tǒng)的無損單光子探測方法,其特征在于,所述耦合了發(fā)射子的一維手性結(jié)構(gòu)耦合一個發(fā)射子或多個發(fā)射子;
所述發(fā)射子與單光子發(fā)生相互作用是指單光子被發(fā)射子吸收,發(fā)射子中處于基態(tài)上的電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)上,再通過發(fā)射子的自發(fā)輻射過程電子又回到基態(tài)上,并同時發(fā)射出單光子的過程;此過程中單光子經(jīng)歷了被吸收又被發(fā)射的過程,其相互作用前后狀態(tài)不改變;而發(fā)射子經(jīng)歷了被單光子激發(fā)到激發(fā)態(tài),再通過自發(fā)輻射回到基態(tài)的過程,其作用前后發(fā)射子波函數(shù)中的基態(tài)幾率幅改變了±π相移。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于手性系統(tǒng)的無損單光子探測方法,其特征在于,所述發(fā)射子是有類似原子離散能級結(jié)構(gòu)的物質(zhì);
所述耦合了發(fā)射子的一維手性結(jié)構(gòu)中發(fā)射子與一維手性結(jié)構(gòu)的耦合是將發(fā)射子摻雜在一維手性結(jié)構(gòu)中,或利用激光冷卻技術(shù)將發(fā)射子囚禁在一維手性結(jié)構(gòu)外側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于手性系統(tǒng)的無損單光子探測方法,其特征在于,所述耦合了發(fā)射子的一維手性結(jié)構(gòu)所能傳導(dǎo)的光學(xué)模式是單偏振態(tài)單模式的,耦合的發(fā)射子所在的位置是一維手性結(jié)構(gòu)的完全圓偏振模式處;
所述耦合了發(fā)射子的一維手性結(jié)構(gòu)中的發(fā)射子應(yīng)制備在選定的基態(tài)和激發(fā)態(tài)的最大疊加態(tài)上其中|0表示選定的發(fā)射子的基態(tài),|1表示選定的發(fā)射子的激發(fā)態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于手性系統(tǒng)的無損單光子探測方法,其特征在于,所述發(fā)射子與單光子發(fā)生相互作用后,發(fā)射子波函數(shù)狀態(tài)中的基態(tài)幾率幅和單光子透射率分別是:
T(Δ)=|t(Δ)|2 (2)
公式(1)中的Δ=ω10-ν為失諧量,其中ω10表示發(fā)射子兩個選定能級|1和|0間的躍遷頻率,ν表示入射的被探測的單光子頻率,γ表示發(fā)射子兩個選定能級間的自發(fā)輻射衰減強度,Γ表示發(fā)射子與單光子的耦合強度,i表示虛數(shù)單位,t(Δ)表示單光子與發(fā)射子相互作用后,發(fā)射子波函數(shù)中的基態(tài)幾率幅,φ(Δ)表示發(fā)射子波函數(shù)中的基態(tài)幾率幅的相位變化,T(Δ)表示單光子與發(fā)射子相互作用后,單光子的透射率。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于手性系統(tǒng)的無損單光子探測方法,其特征在于,當無探測單光子出現(xiàn)和有探測單光子出現(xiàn)時,在不出現(xiàn)探測誤差的情況下,發(fā)射子的波函數(shù)狀態(tài)分別表示如下:
無探測單光子通過時發(fā)射子所處的波函數(shù)狀態(tài):
有探測單光子通過時發(fā)射子所處的波函數(shù)狀態(tài):
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于手性系統(tǒng)的無損單光子探測方法,其特征在于,所述耦合了發(fā)射子的一維手性結(jié)構(gòu)與發(fā)射子應(yīng)處于強耦合狀態(tài)下,其耦合強度Γ要在40倍的自發(fā)輻射衰減強度以上即Γ≥40γ,且探測頻率在|Δ|≤5γ范圍內(nèi)的單光子,可達到近乎無損且高效的單光子探測效果;此條件下發(fā)射子與單光子相互作用后發(fā)射子的波函數(shù)狀態(tài)為其發(fā)射子的波函數(shù)中的基態(tài)|0的幾率幅近乎改變了±π相移,由于±π相移的存在,后續(xù)利用原子態(tài)檢測技術(shù)對原子狀態(tài)進行檢測即可判斷是否有單光子入射。
8.一種權(quán)利要求1至7任一項所述的方法所使用的基于手性系統(tǒng)的無損單光子探測裝置,其特征在于,是由第一光纖裝置、耦合了發(fā)射子的一維手性結(jié)構(gòu)、第二光纖耦合裝置組成,所述第一光纖裝置包括接收端和輸出端,所述第二光纖耦合裝置包括接收端和輸出端,所述第一光纖裝置的輸出端與所述耦合了發(fā)射子的一維手性結(jié)構(gòu)的一端連接,所述耦合了發(fā)射子的一維手性結(jié)構(gòu)的另一端與所述第二光纖耦合裝置的接收端連接。
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