[發明專利]一種雪崩光電二極管在審
| 申請號： | 202011353543.3 | 申請日： | 2020-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN112701172A | 公開（公告）日： | 2021-04-23 |
| 發明（設計）人： | 雷述宇 | 申請（專利權）人： | 寧波飛芯電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0352 | 分類號： | H01L31/0352;H01L31/107 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 315500 浙江省寧*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 雪崩 光電二極管 | ||
1.一種雪崩光電二極管，其特征在于，包含第一導電類型襯底的基板，與所述襯底具有相同導電材料的保護環結構，所述保護環范圍內包含與第一電極相連接的第一導電類型的第一摻雜區，所述保護環的外部范圍包含與第二電極相連接的有源區，所述有源區包含第一類型摻雜與第二類型摻雜形成的PN結結構。
2.如權利要求1所述的雪崩光電二極管，其特征在于，所述第一摻雜區被具有第一摻雜類型的第二摻雜區包圍。
3.如權利要求2所述的雪崩光電二極管，其特征在于，所述第一摻雜區的第一類型導電材料摻雜濃度大于所述第二摻雜區濃度。
4.如權利要求3所述的雪崩光電二極管，其特征在于，所述基板縱深方向深度大于所述第二摻雜區的區域中還包含與所述第二摻雜區相連接的摻雜第一類型導電材料的第三摻雜區，所述第三摻雜區的第一類型導電材料摻雜濃度小于所述第二摻雜區濃度。
5.如權利要求1所述的雪崩光電二極管，其特征在于，所述PN結結構的第二類型導電材料摻雜的第四摻雜區與所述第二電極相連接。
6.如權利要求5所述的雪崩光電二極管，其特征在于，所述PN結結構的第二類型導電材料摻雜的第四摻雜區與所述第二電極之間，還包含摻雜濃度高于所述第四摻雜區第二類型導電材料摻雜濃度第五摻雜區。
7.如權利要求5所述的雪崩光電二極管，其特征在于，所述基板縱深方向深度大于所述第二類型導電材料摻雜的第四摻雜區連接摻雜第一類型導電材料的第六摻雜區形成所述PN結結構，所述的第四摻雜區與所述的第六摻雜區之間包含所述二極管的有源區。
8.如權利要求1所述的雪崩光電二極管，其特征在于，所述有源區包含隔離結構，所述隔離結構將所述有源區分割為不少于兩個的獨立有源區。
9.如權利要求8所述的雪崩光電二極管，其特征在于，所述不少于兩個獨立的有源區連接至少部分相同的處理電路。
10.如權利要求1所述的雪崩光電二極管，其特征在于，所述第一電極電壓小于所述第二電極的電壓，且所述第二電極在至少部分時間段內大于所述雪崩二極管的閾值電壓。
11.如權利要求1所述的雪崩光電二極管，其特征在于，所述第一電極電壓為負電壓，且其絕對值大于所述第二電極的電壓。
12.如權利要求1所述的雪崩光電二極管，其特征在于，所述保護環的最小寬度大于預設寬度。
13.如權利要求1所述的雪崩光電二極管，其特征在于，所述第一類型的摻雜材料為P型摻雜材料，所述第二類型的摻雜材料為N型摻雜材料。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
