[發明專利]一種增強二硫化錫納米片非線性光學性能的方法在審
| 申請號： | 202011350907.2 | 申請日： | 2020-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN112479155A | 公開（公告）日： | 2021-03-12 |
| 發明（設計）人： | 黃智鵬;刁夢娟 | 申請（專利權）人： | 同濟大學 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;G02F1/355;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知識產權代理有限公司 31225 | 代理人： | 劉燕武 |
| 地址： | 200092 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 增強 硫化 納米 非線性 光學 性能 方法 | ||
1.一種增強二硫化錫納米片非線性光學性能的方法，其特征在于，取二硫化錫納米片，采用經蝕刻機產生的等離子體對其進行刻蝕處理，即實現二硫化錫納米片非線性光學性能的增強。
2.根據權利要求1所述的一種增強二硫化錫納米片非線性光學性能的方法，其特征在于，通入蝕刻機中的刻蝕氣體為氬氣、氮氣、氦氣或氧氣。
3.根據權利要求2所述的一種增強二硫化錫納米片非線性光學性能的方法，其特征在于，通入蝕刻機中的刻蝕氣體為氬氣。
4.根據權利要求1所述的一種增強二硫化錫納米片非線性光學性能的方法，其特征在于，通入蝕刻機中的刻蝕氣體的流量不大于200sccm，壓力不大于100Pa。
5.根據權利要求4所述的一種增強二硫化錫納米片非線性光學性能的方法，其特征在于，刻蝕氣體的流量為40sccm，壓力為40Pa。
6.根據權利要求1所述的一種增強二硫化錫納米片非線性光學性能的方法，其特征在于，刻蝕處理的時間不超過30min。
7.根據權利要求6所述的一種增強二硫化錫納米片非線性光學性能的方法，其特征在于，刻蝕處理的時間為20-60s。
8.根據權利要求7所述的一種增強二硫化錫納米片非線性光學性能的方法，其特征在于，刻蝕處理的時間為40s。
9.根據權利要求1所述的一種增強二硫化錫納米片非線性光學性能的方法，其特征在于，產生等離子體的蝕刻機的感應耦合射頻源的功率不大于300W。
10.根據權利要求9所述的一種增強二硫化錫納米片非線性光學性能的方法，其特征在于，產生等離子體的蝕刻機的感應耦合射頻源的功率為100W。
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