[發明專利]化學機械研磨工藝異常報警處理方法、程式及裝置

在審

• 申請號: 202011350796.5
• 申請日: 2020-11-26
• 公開（公告）號: CN112454159A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 高駿;侯磊
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: B24B37/005
• 分類號: B24B37/005;B24B37/10;B24B37/34
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 張彥敏

1.一種化學機械研磨工藝異常報警處理方法，其特征在于，包括：

S1：開始化學機械研磨工藝；

S2：化學機械研磨裝置發出故障警報；

S3：化學機械研磨工藝進入拋光清洗工藝，以去除晶圓表面及研磨墊上的副產物；以及

S4：在步驟S3之后進入晶圓被研磨頭壓在研磨墊上面或研磨頭保持晶圓轉45°到清洗裝置以進行晶圓清洗工藝。

2.根據權利要求1所述的化學機械研磨工藝異常報警處理方法，其特征在于，步驟S3中的拋光清洗工藝為水拋工藝。

3.根據權利要求1所述的化學機械研磨工藝異常報警處理方法，其特征在于，在完成步驟S3之前不停機。

4.根據權利要求1所述的化學機械研磨工藝異常報警處理方法，其特征在于，步驟S3中的拋光清洗工藝為正常CMP工藝程式的最終清洗步驟。

5.根據權利要求4所述的化學機械研磨工藝異常報警處理方法，其特征在于，正常CMP工藝為在CMP工藝過程中無故障報警的CMP工藝。

6.一種化學機械研磨工藝程式，其特征在于，包括：當化學機械研磨裝置發出故障警報時，化學機械研磨工藝進入拋光清洗工藝，以去除晶圓表面及研磨墊上的副產物；之后進入晶圓被研磨頭壓在研磨墊上面或研磨頭保持晶圓轉45°到清洗裝置以進行晶圓清洗工藝。

7.一種化學機械研磨裝置，其特征在于，包括：研磨墊，粘貼在研磨盤上；研磨頭，保持將要研磨的晶片，并向將要研磨的晶片提供下壓力將晶片的待研磨面向下附著在研磨墊上；清洗裝置，位于研磨墊的45°側，用于對晶圓進行清洗，其中，當化學機械研磨裝置發出故障警報時，化學機械研磨工藝進入拋光清洗工藝，以去除晶圓表面及研磨墊上的副產物；之后晶圓被研磨頭壓在研磨墊上面或研磨頭保持晶圓轉45°到清洗裝置以進行晶圓清洗工藝。

8.根據權利要求7所述的化學機械研磨裝置，其特征在于，拋光清洗工藝為水拋工藝。

9.根據權利要求7所述的化學機械研磨裝置，其特征在于，在完成拋光清洗工藝之前不停機。

10.根據權利要求7所述的化學機械研磨裝置，其特征在于，拋光清洗工藝為正常CMP工藝程式的最終清洗步驟。