[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202011350762.6
• 申請日: 2020-11-26
• 公開（公告）號: CN112909003A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 前田貫太
• 申請（專利權）人: 拉碧斯半導體株式會社
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521;H01L29/788
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;王海奇

1.一種半導體裝置，構成非易失性存儲器，其特征在于，具有：

第一導電型的半導體部；

第二導電型的第一阱，其與所述第一導電型相反極性，形成為從所述半導體部的1個面內的第一區域朝向內部延伸；

所述第二導電型的第二阱，其形成為從所述第一區域分離而從所述半導體部的所述1個面內的第二區域朝向內部延伸；

絕緣膜，其形成在所述1個面上；以及

導電層，其形成為跨越所述絕緣膜上的所述第一阱的上方的區域和所述第二阱的上方的區域而延伸，

在所述第一阱形成有從所述1個面向所述第一阱內伸長的溝槽，所述絕緣膜在所述溝槽的內部的表面上延伸，在所述溝槽的內部的所述絕緣膜上設置有與所述導電層連續地形成的導電部。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體部在所述第一阱與所述第二阱之間的區域，構成所述第一導電型的第三阱，所述第一導電型的第三阱從所述半導體部的所述1個面朝向內部延伸。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述第一阱形成有從所述1個面朝向所述第一阱的內部延伸的所述第二導電型的第一擴散層，

在所述第二阱形成有從所述1個面朝向所述第二阱的內部延伸的所述第二導電型的第二擴散層。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述導電層和所述導電部由所述第二導電型的多晶硅層構成，

所述絕緣膜由硅氧化膜構成。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體部具有半導體基板以及第一導電型的半導體層，所述第一導電型的半導體層從所述半導體基板的1個面朝向內部延伸。

6.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體部為所述第一導電型的半導體基板。

7.一種半導體裝置，構成非易失性存儲器，其特征在于，具有：

第一導電型的半導體部；

第二導電型的第一阱，其與所述第一導電型相反極性，形成為從所述半導體部的1個面內的第一區域朝向內部延伸；

所述第二導電型的第二阱，其形成為從所述第一區域分離而從所述半導體部的所述1個面內的第二區域朝向內部延伸；

絕緣膜，其形成在所述1個面上；以及

導電層，其形成為跨越所述絕緣膜上的所述第一阱的上方的區域和所述第二阱的上方的區域而延伸，

所述絕緣膜具有：第一區域，以位于所述第一阱的上方的方式延伸而具有第一膜厚；以及第二區域，具有比所述第一膜厚厚的第二膜厚。