[發(fā)明專利]一種具有改性涂層的盆式絕緣子制備及其應(yīng)用

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• 申請日: 2020-11-26
• 公開（公告）號: CN112271047A
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王振良;張建宏;陳雪如
• 申請（專利權(quán)）人: 麥克奧迪（廈門）智能電氣有限公司
• 主分類號: H01B19/04
• 分類號: H01B19/04;H01B19/00;H01B17/38;H01B17/50
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1.一種具有改性涂層的盆式絕緣子制備，其特征在于，其制備步驟為：

S1、該絕緣子包括中心嵌件（1）、環(huán)氧澆注體（2）、接地殼體（3）、改性涂層（4）、凹面導(dǎo)體（6）、凸面導(dǎo)體（7）；

S2、將中心嵌件（1）和環(huán)氧澆注體（2）通過真空澆注工藝成型后在GIS或GIL上與接地殼體（3）裝配成一體；

S3、再將中心嵌件（1）分別與凹面導(dǎo)體（6）和凸面導(dǎo)體（7）連接成一體，形成高壓導(dǎo)電通道，并于高壓導(dǎo)電通道和接地殼體（3）之間填充具有一定壓力和高絕緣強(qiáng)度的絕緣氣體；

S4、在凹面導(dǎo)體（6）、凸面導(dǎo)體（7）的端部圓角處與環(huán)氧澆注體（2）及絕緣氣體會形成楔形氣隙，并且作為三交點(diǎn)區(qū)域該位置很容易發(fā)生放電；

S5、再在接地殼體（3）法蘭的端部圓角處與環(huán)氧澆注體（2）及絕緣氣體也會形成楔形氣隙，并且作為三交點(diǎn)區(qū)域該位置很容易發(fā)生放電；

S6、根據(jù)在環(huán)氧澆注體（2）爬電沿面使用不同的介電常數(shù)將改性涂層（4）共分為三個區(qū)域，然后依次將改性涂層（4）增設(shè)于環(huán)氧澆注體（2）爬電沿面上，即可完成絕緣子的制備。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有改性涂層的盆式絕緣子制備，其特征在于，所述S3中填充的具有一定壓力和高絕緣強(qiáng)度的絕緣氣體為六氟化硫氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有改性涂層的盆式絕緣子制備，其特征在于，所述改性涂層（4）是通過添加炭黑、石墨烯等導(dǎo)電材料制成導(dǎo)體涂層，然后再通過溶膠凝膠工藝將具有不同介電常數(shù)的材料制成的納米涂層，最后通過噴涂或者刷鍍等工藝附著在環(huán)氧澆注體（2）的外圈上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有改性涂層的盆式絕緣子制備，其特征在于，所述改性涂層（4）共分三個區(qū)域，分別為近地側(cè)改性涂層（4.1）、絕緣區(qū)中間改性涂層（4.2）、絕緣區(qū)高壓側(cè)改性涂層（4.3），通過介電常數(shù)對電壓的分布條件，在絕緣區(qū)按照低電位到高電位，介電常數(shù)由低到高的調(diào)節(jié)方式依次分布于環(huán)氧澆注體（2）爬電沿面上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種具有改性涂層的盆式絕緣子制備，其特征在于，所述近地側(cè)改性涂層（4.1）的介電常數(shù)為4，絕緣區(qū)中間改性涂層（4.2）的介電常數(shù)為4.4，絕緣區(qū)高壓側(cè)改性涂層（4.3）的介電常數(shù)為4.8。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任意一項所述的一種具有改性涂層的盆式絕緣子制備及其應(yīng)用，其特征在于，本發(fā)明制備的具有改性涂層的盆式絕緣子主要應(yīng)用在GIS和GIL設(shè)備中的核心絕緣件上，其中，GIS指氣體絕緣金屬開關(guān)，GIL指氣體絕緣金屬封閉輸電線路。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種具有改性涂層的盆式絕緣子制備及其應(yīng)用，其特征在于，所述改性涂層（4）的盆式絕緣子通過中心嵌件（1）和導(dǎo)電桿與所述的GIS和GIL設(shè)備中的核心絕緣件連接。