[發明專利]存儲器閾值電壓均勻性的電性測試方法

在審

• 申請號: 202011347770.5
• 申請日: 2020-11-26
• 公開（公告）號: CN112489716A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 唐小亮;李妍;辻直樹;陳昊瑜
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G11C29/12
• 分類號: G11C29/12;H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種存儲器閾值電壓均勻性的電性測試方法，用于測試存儲器中的多個存儲單元的閾值電壓是否均勻，所述存儲單元包括：襯底、位于所述襯底內的基極區、位于所述襯底表面的并且具有一定距離的選擇管和存儲管、位于所述選擇管一側的源線以及位于所述存儲管一側的位線，所述選擇管和所述存儲管均位于所述源線和所述位線之間，其特征在于，所述電性測試方法包括：

向所述選擇管施加第一電壓，使得所述選擇管一直保持開啟狀態；

連接所有存儲單元的所述接源線，連接所有存儲單元的位線以及連接所有存儲單元的基極區；

向所述存儲管施加第二電壓，所述第二電壓提供掃描電壓；

所述第二電壓每變化一次，向所述存儲管施加一次脈沖電壓；

量測所述基極區的電流；

將所述基極區的電流和第二電壓的值做成閾值電壓表；

保持所述基極區的電流恒定，所述第二電壓變化的幅度越小，則存儲器閾值電壓越均勻。

2.如權利要求1所述的存儲器閾值電壓均勻性的電性測試方法，其特征在于，所述第一電壓是恒定電壓。

3.如權利要求1所述的存儲器閾值電壓均勻性的電性測試方法，其特征在于，所述第二電壓的范圍為-4v～4v。

4.如權利要求1所述的存儲器閾值電壓均勻性的電性測試方法，其特征在于，所述第二電壓變化的步進為0.1v。

5.如權利要求1所述的存儲器閾值電壓均勻性的電性測試方法，其特征在于，所述脈沖電壓的電壓為2v，頻率為1MHz。

6.如權利要求1所述的存儲器閾值電壓均勻性的電性測試方法，其特征在于，向選擇管施加第一電壓的方法包括：向所述選擇管的字線施加第一電壓。

7.如權利要求1所述的存儲器閾值電壓均勻性的電性測試方法，其特征在于，向存儲管施加第二電壓的方法包括：向所述存儲管的字線施加第二電壓。

8.如權利要求1所述的存儲器閾值電壓均勻性的電性測試方法，其特征在于，在所述存儲管的柵極上施加脈沖電壓。

9.如權利要求1所述的存儲器閾值電壓均勻性的電性測試方法，其特征在于，所述閾值電壓表的橫坐標為第二電壓的值，所述閾值電壓表的縱坐標為基極區電流的值。

10.如權利要求1所述的存儲器閾值電壓均勻性的電性測試方法，其特征在于，隨著所述第二電壓的增大，所述基極區的電流先升高再降低。

11.一種存儲器閾值電壓均勻性的電性測試方法，用于測試存儲器中的多個存儲單元的閾值電壓是否均勻，所述存儲單元包括：襯底、位于所述襯底內的基極區、位于所述襯底表面的存儲管、位于所述存儲管一側的源線以及位于所述存儲管另一側的位線，所述存儲管位于所述源線和所述位線之間，其特征在于，所述電性測試方法包括：

連接所有存儲單元的所述接源線，連接所有存儲單元的位線以及連接所有存儲單元的基極區；

向所述存儲管施加掃描電壓；

所述掃描電壓每變化一次，再向所述存儲管施加一次脈沖電壓；

量測所述基極區的電流；

將所述基極區的電流和掃描電壓的值做成閾值電壓表；

保持所述基極區的電流恒定，所述掃描電壓變化的幅度越小，則存儲器閾值電壓越均勻。

12.如權利要求11所述的存儲器閾值電壓均勻性的電性測試方法，其特征在于，向存儲管施加掃描電壓的方法包括：向所述存儲管的字線施加掃描電壓。

13.如權利要求11所述的存儲器閾值電壓均勻性的電性測試方法，其特征在于，在所述存儲管的柵極上施加脈沖電壓。