[發明專利]發光器件及其制作方法、背板及其制作方法

有效

• 申請號: 202011346671.5
• 申請日: 2020-11-26
• 公開（公告）號: CN112968089B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 王斌;茍先華;范春林;汪慶
• 申請（專利權）人: 重慶康佳光電技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/38;H01L33/00;H01L33/62
• 代理公司: 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281
• 代理人: 李發兵

本發明涉及一種發光器件及其制作方法、背板及其制作方法，包括：第一半導體層、發光層、第二半導體層、第一電極和第二電極；其中，第一半導體層包括第一區域和包圍第一區域的第二區域；第一區域中的第一半導體層相對第二區域中的第一半導體層凸出；發光層和第二半導體層依次疊設于第一區域凸出一側表面；第一電極設置于第二區域靠近發光層一側表面，與第一區域的第一半導體層貼合；及第二電極設置于第二半導體層遠離發光層一側表面；避免了發光器件中第一電極與第二電極處于同一側，提高了發光器件焊接良率；同時，在第二區域設置第一電極，使得第一電極的載流子擴散通道增大，提高了發光器件的量子效率，進而提升了發光器件發光亮度。

技術領域

本發明涉及發光芯片領域，尤其涉及發光器件及其制作方法、背板及其制作方法。

背景技術

目前，發光器件的制程上，需要制備一定的電極結構，由于電極不透光且電極會刻蝕掉部分發光層，導致發光器件發光的有效面積減小，因此電極制約著發光器件發光的有效面積；同時，發光器件面積較小，導致微發光二極管電極間距較小，在焊接過程中極易造成短路風險，發光器件焊接良率低限制了發光器件進一步微小化。

因此，如何在發光器件微小化要求上提高焊接良率是亟需解決的問題。

發明內容

鑒于上述相關技術的不足，本申請的目的在于提供發光器件及其制作方法、背板及其制作方法，旨在解決發光器件面積較小，導致微發光二極管電極間距較小，在焊接過程中極易造成短路風險，發光器件焊接良率低限制了發光器件進一步微小化的問題。

一種發光器件，包括：第一半導體層、發光層、第二半導體層、第一電極和第二電極；其中，所述第一半導體層包括第一區域和包圍所述第一區域的第二區域；所述第一區域中的第一半導體層相對所述第二區域中的第一半導體層凸出；所述發光層和所述第二半導體層依次疊設于所述第一區域凸出一側表面；所述第一電極設置于所述第二區域靠近所述發光層一側表面，與所述第一區域的第一半導體層貼合；及所述第二電極設置于所述第二半導體層遠離所述發光層一側表面。

上述發光器件，通過在第二區域靠近發光層一側表面設置第一電極，第一電極與第一區域的第一半導體層貼合，避免了蝕刻發光層從而在第一半導體層靠近發光層一側設置第一電極，導致發光器件發光的有效面積減小的問題，減小了對發光層的蝕刻進而提高了發光器件發光的有效面積；同時，避免了發光器件中第一電極與第二電極處于同一側，在焊接過程中極易造成短路風險的問題，提高了發光器件焊接良率；進一步地，在第一半導體層第二區域靠近發光層一側表面設置第一電極，使得第一電極的載流子擴散通道增大，可以提高發光器件的量子效率，進而提升了發光器件發光亮度。

可選地，所述第一電極設置于所述第二區域靠近所述發光層一側表面包括：

所述第一電極環繞設置于所述第二區域靠近所述發光層一側表面；

或，

所述第一電極對稱設置于所述第二區域靠近所述發光層一側表面。

可選地，所述第一電極的厚度為1微米至3微米。

基于同樣的發明構思，本申請還提供一種如上所述的發光器件的制作方法，包括：提供一襯底；于所述襯底上依次生長形成第一半導體層、發光層、第二半導體層；對所述第二半導體層、發光層及第一半導體層進行圖案化處理；其中，圖案化處理后的所述第一半導體層包括第一區域和第二區域；所述第一區域中的第一半導體層相對所述第二區域中的第一半導體層凸出；于所述第二區域靠近所述發光層一側表面制作形成第一電極；于所述第二半導體層遠離所述發光層一側表面制作形成第二電極。