[發明專利]發光裝置

有效

• 申請號: 202011346616.6
• 申請日: 2020-11-26
• 公開（公告）號: CN112531091B
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發明（設計）人: 俞方正;張正杰;蔡正曄
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L27/15
• 代理公司: 北京市立康律師事務所 11805
• 代理人: 梁揮;孟超

1.一種發光裝置，其特征在于，包括：

一基板；

一平坦層，位于該基板上；

一凸塊，位于該平坦層上；

一第一接墊以及一第二接墊，該第一接墊位于該凸塊上，且該第二接墊位于該平坦層上；

一發光二極管，包括：

一第一半導體層與重疊于該第一半導體層的一第二半導體層；以及

一第一電極與一第二電極，分別連接該第一半導體層與該第二半導體層；

一第一連接結構，電性連接該第一電極至該第一接墊，其中該第一接墊設置于該凸塊與該第一連接結構之間；

一第二連接結構，電性連接該第二電極至該第二接墊；以及

一圖案化黏著層，位于該基板與該發光二極管之間，且不接觸于該第一連接結構與該第二連接結構。

2.如權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，該圖案化黏著層包括固化的光阻。

3.如權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，該第一電極的厚度大于該第二電極的厚度。

4.如權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，該凸塊直接形成于該平坦層上。

5.如權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，更包括：

一第三接墊，位于該基板上；

該發光二極管更包括：

一第三電極，連接該第一半導體層，其中該第二半導體層位于該第一電極與該第三電極之間；以及

一第三連接結構，電性連接該第三電極至該第三接墊，且該圖案化黏著層更位于該第二連接結構與該第三連接結構之間。

6.如權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，該圖案化黏著層與該第二連接結構之間的距離以及該圖案化黏著層與該第二接墊之間的距離大于0.3微米小于3微米。

7.一種發光裝置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板、位于該基板上的一平坦層以及位于該平坦層上的一凸塊；

提供一第一接墊于該凸塊上以及一第二接墊于該平坦層上；

分別形成一第一導電結構與一第二導電結構于該第一接墊與該第二接墊上，其中該第一接墊設置于該第一導電結構與該凸塊之間；

形成一黏著材料層于該基板上；

對該黏著材料層進行軟烤制程，并圖案化該黏著材料層，其中圖案化的該黏著材料層不接觸于該第一導電結構與該第二導電結構；

放置一發光二極管至圖案化的該黏著材料層上，其中該發光二極管包括：

一第一半導體層與重疊于該第一半導體層的一第二半導體層；以及

一第一電極與一第二電極，分別連接該第一半導體層與該第二半導體層，且該第一電極與該第二電極分別連接該第一導電結構與該第二導電結構。

8.如權利要求7所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，更包括：

加熱該第二導電結構與該第一導電結構，以形成一第二連接結構與一第一連接結構，其中該第二連接結構電性連接該第二電極至該第二接墊，且該第一連接結構電性連接該第一電極至該第一接墊。

9.如權利要求7所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，該發光二極管的制造方法包括：

于一第一半導體材料層上形成一第二半導體材料層；

圖案化該第二半導體材料層以形成該第二半導體層；

形成一絕緣層于該第二半導體層側壁；

形成該第二電極于該第二半導體層上；

形成一金屬材料層于該第一半導體材料層上，且該金屬材料層接觸該絕緣層；

圖案化該第一半導體材料層以及該金屬材料層，以形成該第一半導體層以及該第一電極。

10.如權利要求7所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，更包括加熱圖案化的該黏著材料層，使其固化為一圖案化黏著層，其中圖案化的該黏著材料層的固化溫度大于該第一導電結構與該第二導電結構的熔融溫度。