[發(fā)明專利]一種電子元器件用抗中子輻照的防護(hù)材料及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011346447.6
• 申請(qǐng)日: 2020-11-26
• 公開（公告）號(hào): CN112530618B
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳曉宏;崔凱;盧松濤;洪楊;李楊;秦偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): G21F1/12
• 分類號(hào): G21F1/12
• 代理公司: 哈爾濱市陽光惠遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 23211
• 代理人: 裴閃閃

1.一種電子元器件用抗中子輻照的防護(hù)材料的制備方法，其特征在于，所述防護(hù)材料由樹脂僑聯(lián)層和功能金屬層交替堆疊而成，最外層為功能金屬層，所述樹脂僑聯(lián)層和功能金屬層交替堆疊10～30個(gè)循環(huán)，所述樹脂僑聯(lián)層單層厚度為50μm～100μm，功能金屬層單層厚度為30μm～50μm，所述功能金屬層為稀土金屬層，所述稀土金屬為鈰、釓、鉺中的一種或幾種的混合；

所述防護(hù)材料的制備方法按以下步驟進(jìn)行：

一、制備樹脂僑聯(lián)層：將環(huán)氧樹脂加熱至熔融狀態(tài)，然后加入促進(jìn)劑和聚醚酰亞胺，在攪拌狀態(tài)下使混合均勻，得到環(huán)氧樹脂稀釋液，對(duì)得到的環(huán)氧樹脂稀釋液進(jìn)行超聲處理，超聲處理后靜置，然后將靜置后的環(huán)氧樹脂稀釋液噴涂在電子元器件的管殼表面，然后進(jìn)行分段固化，得到樹脂僑聯(lián)層；

二、制備功能金屬層：采用磁控濺射技術(shù)，以稀土金屬元素為靶材，氬氣為保護(hù)氣，背底真空度為4.5×10^-4Pa～5.5×10^-4Pa的條件下，在步驟一的樹脂僑聯(lián)層上鍍覆功能金屬層；

三、交替堆疊：交替重復(fù)步驟一和步驟二的操作，以步驟二的操作結(jié)束交替重復(fù)操作，使防護(hù)材料最外層為功能金屬層，得到防護(hù)材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子元器件用抗中子輻照的防護(hù)材料的制備方法，其特征在于，步驟一中將環(huán)氧樹脂于70～90℃下加熱至熔融狀態(tài)，步驟一中所述環(huán)氧樹脂與促進(jìn)劑的質(zhì)量比為10：(0.5～1)，步驟一中所述環(huán)氧樹脂與聚醚酰亞胺的質(zhì)量比為10：(1～2)，步驟一中所述促進(jìn)劑為乙酰丙酮鋁。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子元器件用抗中子輻照的防護(hù)材料的制備方法，其特征在于，步驟一中所述超聲處理的超聲功率為1000W～2000W，超聲處理使的時(shí)間為10min～20min，超聲處理后靜置3min～5min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子元器件用抗中子輻照的防護(hù)材料的制備方法，其特征在于，步驟一中所述噴涂的參數(shù)具體為：噴嘴直徑為1mm～3mm，噴槍壓力為0.6MPa～0.8Mpa，噴槍移動(dòng)速度為50cm/s～100cm/s，噴距為10cm～20cm，步驟一中所述分段固化的過程具體為：于真空干燥箱中，先在溫度為40～60℃下固化5h～6h，然后在溫度為90～110℃下固化1h～3h，最后在溫度為120～140℃下固化1h～3h。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子元器件用抗中子輻照的防護(hù)材料的制備方法，其特征在于，步驟二中所述磁控濺射的參數(shù)具體為：濺射功率為50W～120W，濺射時(shí)間為1h～3h，濺射壓強(qiáng)為0.5Pa～1.5Pa。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子元器件用抗中子輻照的防護(hù)材料的制備方法，其特征在于，步驟二中所述靶材為鈰靶、釓靶、鉺靶中的一種或任意幾種的組合，步驟二中所述靶材直徑為40mm～60mm，步驟二中靶距為100mm～200mm，步驟二中所述氬氣氣體流量為10sccm～30sccm。