[發(fā)明專利]化學(xué)機械研磨工藝的研磨頭清洗方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011345481.1
• 申請日: 2020-11-26
• 公開（公告）號: CN112476231B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳慧新;李松;王大幫;宋振偉;張守龍
• 申請（專利權(quán)）人: 華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司
• 主分類號: B24B37/11
• 分類號: B24B37/11;B24B37/34;B24B55/06
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 張彥敏

1.一種化學(xué)機械研磨工藝的研磨頭清洗方法，其中研磨頭包括研磨頭支撐盤、扣環(huán)區(qū)域、膜片區(qū)域以及固定腔體裝置，其中扣環(huán)區(qū)域設(shè)置在研磨頭支撐盤的邊緣以形成腔體，膜片區(qū)域位于研磨頭支撐盤的中間區(qū)域且位于腔體內(nèi)，固定腔體裝置位于研磨頭支撐盤與膜片區(qū)域之間，并膜片區(qū)域的邊緣超出固定腔體裝置的邊緣，而在膜片區(qū)域與固定腔體裝置之間形成臺階，該臺階處在研磨過程中積累副產(chǎn)物，其特征在于，包括：

S1：在初始狀態(tài)下研磨頭壓向一外部裝置，使腔體封閉；

S2：將研磨頭抬起，使腔體與外界大氣壓相通，而使臺階處的膜片區(qū)域向遠離固定腔體裝置的方向下耷，提供清洗裝置，清洗裝置噴出清洗液對研磨頭進行清洗；

S3：對腔體進行抽真空，使臺階處的膜片區(qū)域向靠近固定腔體裝置的方向上移，清洗裝置噴出清洗液繼續(xù)對研磨頭進行清洗；停止抽真空，使臺階處的膜片區(qū)域再次向遠離固定腔體裝置的方向下耷，清洗裝置噴出清洗液繼續(xù)對研磨頭進行清洗，多次重復(fù)該操作直至將臺階處的副產(chǎn)物清洗掉；以及

S4：將研磨頭壓向外部裝置，進行研磨工藝。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機械研磨工藝的研磨頭清洗方法，其特征在于，S2中在對研磨頭進行清洗過程中研磨頭同時自轉(zhuǎn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機械研磨工藝的研磨頭清洗方法，其特征在于，S3中在對腔體進行抽真空，使臺階處的膜片區(qū)域向靠近固定腔體裝置的方向上移，清洗裝置噴出清洗液繼續(xù)對研磨頭進行清洗的過程中研磨頭停止自轉(zhuǎn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3任一項所述的化學(xué)機械研磨工藝的研磨頭清洗方法，其特征在于，S3中在停止抽真空使臺階處的膜片區(qū)域向遠離固定腔體裝置的方向下耷，清洗裝置噴出清洗液繼續(xù)對研磨頭進行清洗過程中研磨頭進行自轉(zhuǎn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機械研磨工藝的研磨頭清洗方法，其特征在于，膜片區(qū)域包括從邊緣向中間排布的兩個第一壓力區(qū)域P1、兩個第二壓力區(qū)域P2、兩個第三壓力區(qū)域P3、兩個第四壓力區(qū)域P4以及一個第五壓力區(qū)域P5，兩個第一壓力區(qū)域P1、兩個第二壓力區(qū)域P2、兩個第三壓力區(qū)域P3、兩個第四壓力區(qū)域P4分別沿第五壓力區(qū)域P5對稱設(shè)置，臺階位于第一壓力區(qū)域P1處。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的化學(xué)機械研磨工藝的研磨頭清洗方法，其特征在于，S3中在對腔體進行抽真空時兩個第一壓力區(qū)域P1、兩個第二壓力區(qū)域P2和兩個第三壓力區(qū)域P3向靠近固定腔體裝置的方向上移。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的化學(xué)機械研磨工藝的研磨頭清洗方法，其特征在于，S3中在對腔體停止抽真空時兩個第一壓力區(qū)域P1、兩個第二壓力區(qū)域P2和兩個第三壓力區(qū)域P3向遠離固定腔體裝置的方向下耷。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機械研磨工藝的研磨頭清洗方法，其特征在于，清洗液為去離子水。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機械研磨工藝的研磨頭清洗方法，其特征在于，臺階處的膜片區(qū)域向靠近固定腔體裝置的方向上移為上移至膜片區(qū)域處于平整狀態(tài)。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的化學(xué)機械研磨工藝的研磨頭清洗方法，其特征在于，臺階處的膜片區(qū)域向靠近固定腔體裝置的方向上移為上移至膜片區(qū)域處于平整狀態(tài)。