[發明專利]傳感器器件、傳感器封裝件及其形成方法

在審

• 申請號: 202011344978.1
• 申請日: 2020-11-26
• 公開（公告）號: CN113140535A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 朱永祺;廖思豪;王博漢;胡毓祥;郭宏瑞
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種傳感器器件，包括：

傳感器管芯，具有位于所述傳感器管芯的頂面處的感測區域；

密封劑，至少橫向密封所述傳感器管芯；

導電通孔，延伸穿過所述密封劑；以及

前側再分布結構，位于所述密封劑上和所述傳感器管芯的頂面上，其中，所述前側再分布結構連接至所述導電通孔和所述傳感器管芯，其中，位于所述前側再分布結構中的開口暴露所述傳感器管芯的感測區域，并且其中，所述前側再分布結構包括：在所述密封劑和所述傳感器管芯的頂面上方延伸的第一介電層，位于所述第一介電層上的金屬化圖案，以及在所述金屬化圖案和所述第一介電層上方延伸的第二介電層。

2.根據權利要求1所述的傳感器器件，還包括：背側再分布結構，其中，所述傳感器管芯的底面附接至所述背側再分布結構，并且其中，所述導電通孔連接至所述背側再分布結構。

3.根據權利要求1所述的傳感器器件，其中，在所述傳感器管芯的頂面上方延伸的所述第一介電層的部分具有比在所述密封劑上方延伸的所述第一介電層的部分的厚度更大的厚度。

4.根據權利要求1所述的傳感器器件，其中，所述前側再分布結構通過延伸穿過所述第一介電層的第一通孔連接至所述導電通孔，并且通過延伸穿過所述第一介電層的第二通孔連接至所述傳感器管芯。

5.根據權利要求1所述的傳感器器件，其中，所述導電通孔從所述密封劑突出。

6.根據權利要求1所述的傳感器器件，其中，所述第二介電層在所述傳感器管芯上方延伸，并且其中，所述傳感器管芯的頂面和所述第二介電層的頂面之間的垂直距離在5μm和50μm之間。

7.根據權利要求1所述的傳感器器件，其中，在所述傳感器管芯的頂面上方延伸的所述第一介電層具有低于在所述密封劑上方延伸的所述第一介電層的頂面。

8.根據權利要求1所述的傳感器器件，其中，所述開口由所述第二介電層的側壁和所述第一介電層的側壁限定，其中，所述第二介電層的側壁從所述第一介電層的側壁橫向凹進。

9.一種傳感器封裝件，包括：

半導體管芯，包括位于所述半導體管芯的頂面上的接觸焊盤和位于所述半導體管芯的頂面上的感測區域；

密封劑，圍繞所述半導體管芯，其中，所述半導體管芯的頂面沒有密封劑；

導電通孔，延伸穿過所述密封劑，所述導電通孔通過所述密封劑與所述半導體管芯分隔開；

第一介電層，在所述密封劑的頂面上方、沿所述密封劑的側壁以及在所述半導體管芯的頂面上方延伸，其中，所述第一介電層具有暴露所述半導體管芯的感測區域的第一開口；

導電層，位于所述第一介電層的頂面上方，所述導電層延伸穿過所述第一介電層以接觸所述導電通孔，并且延伸穿過所述第一介電層以接觸所述接觸焊盤；以及

第二介電層，位于所述導電層上面，其中，所述第二介電層具有通過所述第一介電層中的所述第一開口暴露所述半導體管芯的感測區域的第二開口。

10.一種形成傳感器封裝件的方法，包括：

在半導體管芯上形成犧牲層，所述半導體管芯包括傳感器；

在所述第一再分布結構上形成導電通孔；

將所述半導體管芯放置在與所述導電通孔相鄰的所述第一再分布結構上；

用密封劑密封所述半導體管芯、所述犧牲層和所述導電通孔；

平坦化所述密封劑以暴露所述導電通孔和所述犧牲層；

使用蝕刻工藝去除所述犧牲層；以及

在所述密封劑上方和在所述半導體管芯上方形成第二再分布結構，其中，所述第二再分布結構電連接至所述導電通孔和至所述半導體管芯，并且其中，所述第二再分布結構包括暴露所述半導體管芯的傳感器的開口。