[發明專利]超薄玻璃基板制程方法以及顯示面板制程方法有效
| 申請號: | 202011344817.2 | 申請日: | 2020-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN112479596B | 公開(公告)日: | 2022-08-23 |
| 發明(設計)人: | 周晧煜;蔣承忠;吳天鳴;黃俊杰;陳風 | 申請(專利權)人: | 恩利克(浙江)顯示科技有限公司 |
| 主分類號: | C03C15/00 | 分類號: | C03C15/00;C03C17/30;C03C17/32 |
| 代理公司: | 上海隆天律師事務所 31282 | 代理人: | 鐘宗 |
| 地址: | 314100 浙江省嘉興市嘉善*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 超薄 玻璃 基板制程 方法 以及 顯示 面板 | ||
1.一種超薄玻璃基板制程方法,其特征在于,包括以下步驟:
S510、提供一玻璃母材(1),玻璃母材的厚度為10um至150um,所述玻璃母材(1)上預設n個基板區域(11)和圍繞所述基板區域(11)的骨架區域(12),n大于等于2;
S520、至少在所述玻璃母材的所述基板區域(11)的上下表面分別形成刻蝕保護層,所述刻蝕保護層包括主體區域以及至少一沿預設彎折路徑延展的薄化區域;
S530、通過一次刻蝕,消除所述玻璃母材(1)中全部的骨架區域(12),令所述基板區域(11)自所述玻璃母材(1)脫離,通過所述薄化區域在所述基板區域(11)沿預設彎折路徑形成至少一彎折應力消散槽,并且在所述基板區域(11)的邊沿形成應力消散邊緣(13),應力消散邊緣環繞基板區域的邊沿,應力消散邊緣的寬度為5um至300um;
S540、去除所述刻蝕保護層得到獨立的具有彎折應力消散槽的所述玻璃基板(14)。
2.根據權利要求1所述的超薄玻璃基板制程方法,其特征在于,所述基板區域(11)矩陣排列于所述玻璃母材(1),相鄰的所述基板區域(11)之間具有所述骨架區域(12)分隔。
3.根據權利要求1所述的超薄玻璃基板制程方法,其特征在于,所述薄化區域為一沿預設彎折路徑延展的條形區域。
4.根據權利要求1所述的超薄玻璃基板制程方法,其特征在于,所述薄化區域中設有至少一條平行于預設彎折路徑的窄縫,局部所述基板區域(11)露出于所述窄縫。
5.根據權利要求1所述的超薄玻璃基板制程方法,其特征在于,所述刻蝕保護層的所述薄化區域的厚度小于所述刻蝕保護層的主體區域的厚度。
6.根據權利要求1所述的超薄玻璃基板制程方法,其特征在于,所述刻蝕保護層包括同層設置的消減刻蝕的刻蝕緩沖層以及阻擋刻蝕的刻蝕阻擋層,所述刻蝕緩沖層形成所述薄化區域,所述刻蝕保護層形成所述刻蝕保護層的主體區域。
7.根據權利要求1所述的超薄玻璃基板制程方法,其特征在于,所述步驟S520包括以下步驟:
S521、在所述玻璃母材的所述基板區域(11)的上下表面中的至少一側形成高分子補強層(24),所述高分子補強層(24)具有一窄縫,所述高分子補強層的組分包括亞克力、含硅的有機高分子材料、環氧樹脂、氟樹脂、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯以及聚對苯二甲酸-1,4-環己二甲酯;
S522、在所述高分子補強層(24)背離所述基板區域(11)的一側形成刻蝕保護層,所述刻蝕保護層具有至少一露出局部所述基板區域(11)的窄縫,所述窄縫與所述窄縫在基板區域(11)的上的投影相重合。
8.根據權利要求1所述的超薄玻璃基板制程方法,其特征在于,所述步驟S520包括以下步驟:
S523、在所述玻璃母材的所述基板區域(11)的上下表面中的至少一側形成面板功能層(23),所述面板功能層(23)具有一窄縫,所述面板功能層(23)包括TFT背板、有機發光層、觸控檢測層、指紋識別層、蓋板中的一種或組合;
S524、在所述面板功能層(23)背離所述基板區域(11)的一側形成刻蝕保護層,所述刻蝕保護層具有至少一露出局部所述基板區域(11)的窄縫,所述窄縫與所述窄縫在基板區域(11)的上的投影相重合。
9.一種顯示面板制程方法,其特征在于,包括如權利要求1至8中任意一項所述的超薄玻璃基板制程方法,所述彎折應力消散槽被配置于所述顯示面板的彎折路徑。
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