[發明專利]掩模坯料、轉印用掩模、及半導體器件的制造方法在審
| 申請號： | 202011344580.8 | 申請日： | 2020-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN112946996A | 公開（公告）日： | 2021-06-11 |
| 發明（設計）人： | 橋本雅廣 | 申請（專利權）人： | HOYA株式會社 |
| 主分類號： | G03F1/50 | 分類號： | G03F1/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 沈雪 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 坯料 轉印用掩模 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種掩模坯料，其具備基板和位于基板上的圖案形成用薄膜，
所述薄膜由含有鉻的材料形成，
所述薄膜由與基板側相反側的上部區域、和除該上部區域以外的區域構成，
所述上部區域的結晶尺寸比除所述上部區域以外的區域的結晶尺寸大。
2.根據權利要求1所述的掩模坯料，其中，
所述薄膜的上部區域和除上部區域以外的區域均為多晶結構。
3.根據權利要求1或2所述的掩模坯料，其中，
利用電子衍射法獲得的所述薄膜的上部區域和除上部區域以外的區域的各晶面間距均為0.2nm以上。
4.根據權利要求1或2所述的掩模坯料，其中，
所述薄膜的上部區域和除上部區域以外的區域均具有柱狀結構。
5.根據權利要求1或2所述的掩模坯料，其中，所述薄膜的除上部區域以外的區域從基板側起由下部區域及中部區域這兩個區域構成，
所述薄膜的結晶尺寸按照中部區域、下部區域、上部區域的順序變大。
6.根據權利要求1或2所述的掩模坯料，其中，
所述薄膜是所述鉻的含量在厚度方向上變化的組成梯度膜。
7.根據權利要求1或2所述的掩模坯料，其中，
所述薄膜是對于曝光光具有3以上的光密度的遮光膜。
8.一種轉印用掩模，其具備基板和位于基板上的具有轉印圖案的薄膜，
所述薄膜由含有鉻的材料形成，
所述薄膜由與基板側相反側的上部區域、和除該上部區域以外的區域構成，
所述上部區域的結晶尺寸比除所述上部區域以外的區域的結晶尺寸大。
9.根據權利要求8所述的轉印用掩模，其中，
所述薄膜的上部區域和除上部區域以外的區域均為多晶結構。
10.根據權利要求8或9所述的轉印用掩模，其中，
利用電子衍射法獲得的所述薄膜的上部區域和除上部區域以外的區域的各晶面間距均為0.2nm以上。
11.根據權利要求8或9所述的轉印用掩模，其中，
所述薄膜的上部區域和除上部區域以外的區域均具有柱狀結構。
12.根據權利要求8或9所述的轉印用掩模，其中，
所述薄膜的除上部區域以外的區域從基板側起由下部區域及中部區域這兩個區域構成，
所述薄膜的結晶尺寸按照中部區域、下部區域、上部區域的順序變大。
13.根據權利要求8或9所述的轉印用掩模，其中，
所述薄膜為所述鉻的含量在厚度方向上變化的組成梯度膜。
14.根據權利要求8或9所述的轉印用掩模，其中，
所述薄膜是對于曝光光具有3以上的光密度的遮光膜。
15.一種半導體器件的制造方法，該方法具備：
使用權利要求8～14中任一項所述的轉印用掩模，將轉印圖案曝光轉印至半導體基板上的抗蝕膜的工序。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于HOYA株式會社，未經HOYA株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011344580.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：穿過消融電極的改善的熱傳遞
- 下一篇：控制和/或信號部件
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
