[發明專利]一種改善溝槽刻蝕產生側掏的方法在審
| 申請號： | 202011344307.5 | 申請日： | 2020-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN112420594A | 公開（公告）日： | 2021-02-26 |
| 發明（設計）人： | 歐少敏;馮大貴;吳長明 | 申請（專利權）人： | 華虹半導體（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 溝槽 刻蝕 產生 方法 | ||
1.一種改善溝槽刻蝕產生側掏的方法，其特征在于，該方法至少包括以下步驟：
步驟一、提供硅基底，在所述硅基底上形成一硬掩膜層；
步驟二、刻蝕所述硬掩膜層至露出所述硅基底上表面為止，形成硬掩膜圖形；
步驟三、在所述硅基底上表面堆積聚合物，在所述硬掩膜圖形的根部形成圓角結構；
步驟四、沿所述硬掩膜圖形刻蝕所述硅基底，形成側壁結構均一的溝槽。
2.根據權利要求1所述的改善溝槽刻蝕產生側掏的方法，其特征在于：步驟三中的通過CHF3與O2在所述硅基底表面堆積聚合物。
3.根據權利要求2所述的改善溝槽刻蝕產生側掏的方法，其特征在于：步驟三中的所述CHF3與O2中O2的含量小于CHF3的含量。
4.根據權利要求1所述的改善溝槽刻蝕產生側掏的方法，其特征在于：步驟三中的通過CH3F與O2在所述硅基底表面堆積聚合物。
5.根據權利要求4所述的改善溝槽刻蝕產生側掏的方法，其特征在于：步驟三中的所述CH3F與O2中O2的含量小于CH3F的含量。
6.根據權利要求1所述的改善溝槽刻蝕產生側掏的方法，其特征在于：步驟三中的通過CHF3與、CH3F與O2在所述硅基底表面堆積聚合物。
7.根據權利要求6所述的改善溝槽刻蝕產生側掏的方法，其特征在于：步驟三中所述CHF3與、CH3F的含量之和大于O2的含量。
8.根據權利要求1所述的改善溝槽刻蝕產生側掏的方法，其特征在于：步驟四中刻蝕所述硅基底后，形成的所述硅結構頂部還有剩余硬掩膜圖形。
9.根據權利要求1所述的改善溝槽刻蝕產生側掏的方法，其特征在于：步驟四中采用干法刻蝕的方法刻蝕所述硅基底。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
