[發(fā)明專利]三維存儲器及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011343824.0
• 申請日: 2020-11-25
• 公開（公告）號: CN112466885B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張強威;許宗珂;袁彬
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L27/11565
• 分類號: H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 汪阮磊

1.一種三維存儲器，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底上的堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括交替堆疊的若干層?xùn)艠O層和柵絕緣層，所述若干層?xùn)艠O層和柵絕緣層的端部形成臺階結(jié)構(gòu)；

多個虛擬溝道結(jié)構(gòu)，穿過所述堆疊結(jié)構(gòu)的臺階結(jié)構(gòu)；

多個接觸插塞，分別在所述臺階結(jié)構(gòu)的位置與所述柵極層電連接；

其中，所述多個虛擬溝道結(jié)構(gòu)在平行于所述襯底的第一橫向上呈多排排列，所述接觸插塞位于相鄰兩排所述虛擬溝道結(jié)構(gòu)之間，且所述多個虛擬溝道結(jié)構(gòu)中包括在所述第一橫向上與所述接觸插塞相鄰且同列設(shè)置的第一虛擬溝道結(jié)構(gòu)，所述第一虛擬溝道結(jié)構(gòu)和所述多個接觸插塞至少其中之一沿所述第一橫向的最大寬度小于沿第二橫向的最大寬度，所述第二橫向平行于所述襯底且垂直于所述第一橫向。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述多個接觸插塞和所述多個虛擬溝道結(jié)構(gòu)至少其中之一的橫截面形狀為具有長短軸的橢圓形狀，且所述橢圓形狀的長軸方向為所述第二橫向。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述多個接觸插塞沿所述第一橫向和所述第二橫向呈行列排布，多個所述接觸插塞沿所述第一橫向的最大寬度小于沿所述第二橫向的最大寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的三維存儲器，其特征在于，相鄰兩排所述虛擬溝道結(jié)構(gòu)在所述第二橫向上呈錯位排布，每一所述接觸插塞對應(yīng)一個虛擬溝道結(jié)構(gòu)組合，所述虛擬溝道結(jié)構(gòu)組合包括與對應(yīng)的所述接觸插塞相鄰的三個所述虛擬溝道結(jié)構(gòu)，所述虛擬溝道結(jié)構(gòu)組合中與對應(yīng)的所述接觸插塞在所述第一橫向上同列分布的所述虛擬溝道結(jié)構(gòu)沿所述第一橫向的最大寬度小于沿所述第二橫向的最大寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三維存儲器，其特征在于，所述虛擬溝道結(jié)構(gòu)組合中三個所述虛擬溝道結(jié)構(gòu)在所述襯底上的投影圍成一等腰三角形，且對應(yīng)的所述接觸插塞在所述襯底上的投影位于所述等腰三角形的中心位置處。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三維存儲器，其特征在于，在每相鄰兩排所述虛擬溝道結(jié)構(gòu)中，其中一排所述虛擬溝道結(jié)構(gòu)在所述第二橫向呈直線分布，另一排所述虛擬溝道結(jié)構(gòu)在所述第二橫向上呈波浪線分布。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三維存儲器，其特征在于，在所述第一橫向上相鄰兩排所述接觸插塞之間存在至少兩排所述虛擬溝道結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述多個接觸插塞和/或所述多個虛擬溝道結(jié)構(gòu)的橫截面形狀包括圓形或正方形。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述若干層?xùn)艠O層和柵絕緣層還形成在所述第二橫向上與所述臺階結(jié)構(gòu)連接的核心陣列結(jié)構(gòu)，所述三維存儲器還包括：

多個溝道結(jié)構(gòu)，穿過所述堆疊結(jié)構(gòu)的核心陣列結(jié)構(gòu)；

共源極結(jié)構(gòu)，垂直于所述襯底并在所述第二橫向貫穿所述核心陣列結(jié)構(gòu)。

10.一種三維存儲器的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括交替堆疊的若干層?xùn)艠O層和柵絕緣層，所述若干層?xùn)艠O層和柵絕緣層的端部形成臺階結(jié)構(gòu)；

在所述堆疊結(jié)構(gòu)的臺階結(jié)構(gòu)上形成多個虛擬溝道結(jié)構(gòu)，所述多個虛擬溝道結(jié)構(gòu)穿過所述臺階結(jié)構(gòu)；

形成多個接觸插塞，所述多個接觸插塞分別在所述臺階結(jié)構(gòu)的位置與所述柵極層電連接；

其中，所述多個虛擬溝道結(jié)構(gòu)在平行于所述襯底的第一橫向上呈多排排列，所述接觸插塞位于相鄰兩排所述虛擬溝道結(jié)構(gòu)之間，且所述多個虛擬溝道結(jié)構(gòu)中包括在所述第一橫向上與所述接觸插塞相鄰且同列設(shè)置的第一虛擬溝道結(jié)構(gòu)，所述第一虛擬溝道結(jié)構(gòu)和所述多個接觸插塞至少其中之一沿所述第一橫向的最大寬度小于沿第二橫向的最大寬度，所述第二橫向平行于所述襯底且垂直于所述第一橫向。